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碳纳米管场发射特性的研究 彭自安朱宝华陈其略丁索广 (北京真空电子技术研究所 北京100016) 朱洁毛东军曹安源 (清华大学机械工程系北京1000s4) 摘要本文将CVI)方法制成的碳纳米管沉积在铝针尖上，测试了这种材料的场发射特 性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体．我们同时还将其与纯钼针在场发射 方面进行了比较。 关键词碳纳米管 沥发射特性场发射体 I 引言 目前，真空微电子学的研究与开发正处于一个突飞猛进的阶段Ⅲ。人们在场致发射的理 论与实验研究基础上，利用真空电子学与薄膜技沭并结合现代微细加工技术，妍制出各种扬 发射阵列(FEA)腮极。目前以钼和硅两种材料的FEA阴极研究最为成熟，这些阴极已被实际 应用。但钼和硅的抗离子轰击能力较差，表面极易吸附气体，因此在实际应用中可靠性和寿 命均不能满足大生产的要求引。 近几年，人们在改进铝和硅FEA可靠性的同时以很大的兴趣研究各种晶型碳材料的发 射性能，其中研究最多的是金月5石薄膜，它是一种性能十分优异的场发射材料，]991年人 们发现了另一种晶型碳，即碳纳米管(又称舀基管)，它是由类似石墨的六边形肘络所组成的 管状碳分子。管子一般由多层组成，两端封闭。碳纳米管的这种螺旋管状的特殊结构预示着 它有可能具有不同寻常的性能。最近几年国外有文献报道它具有良好的场发射性髓。1996 年美国加洲大学的Philip G．Collins等人深入研究了碳纳米管的场发射性能嘲，证明它具有稳 定性好和抗离子轰击能力强等良好的场发射特性，可以在l矿Ton真空环境下工作，电流密 过电子束蒸发石墨的方法制得碳纳米管，测试了场发射特性并估算了这种：讨料的功函数。另 外w．de Heer等人96年报道了已将碳纳米管沉积在一种高分子膜的矩阵．上1日，制成了．显示 人已将碳纳米管阴极用于冀。验CRT中，支取总电流20Cl肚，寿命预计将超过l乃小时。川国 内尚未见到对此材料场发自4年}性的研究报道。作者采用化学气相沉积法(CVD)将碳纳米管沉 积在单根钼针尖端，测出j’发射电流一电压曲线，评与纯钼针进行了比较。 2 实验 碳纳米管(carbon 度可达数p．m，它是碳簇材料中的一种富勒碳。 2．1样品的制备 120 将处理后的直径为O 一端腐蚀成尖锥形(曲率半径约为几微米)，尖端部先镀镍作为催化剂，通人He气保护，在 700℃下通人C：I-h进行化学裂解，即CVD法在其尖端处生长出碳纳米管。 一一 图I钼尖锥上沉积碳纳米管的SEM照片 Ⅲ { l。M } d 图．2在催化剂作用下生成的 图．3碳纳米管的x一衍射谱线 碳纳米管TEM图象 图I是钼尖锥覆盖碳纳米管后，表面的SEM象，展示出钼尖锥已被一层絮状碳纳米管覆盖。 图2是碳纳米管的TEM象，可以看到更精细的碳纳米管结构，它的直径在纳米量级(20～ 30rim)，为空心管状结构，成无序分布状态。图3是它的射线衍射图，可以看到其晶体结 构与石墨相似，属于碳族。具有典型的碳晶体结构。通过TEM及SEM形貌、定性分析，以 及射线结构分析表明，在Mo尖锥上已覆盖所需的碳纳米管。 2．2实验方珐 将已沉积碳纳米管的镅丝作贸极，直径约为imm的金球作阳极，分别焊在玻璃隔离柱 两端的钼棒上，构成—个二极管样品，阴阻授间距离为420p．m。将样品放在真空室中，真 空度优于1×104Pa。 3结果与讨论 3．1碳纳米管的I~V曲线 12l