无机盐制备PZT铁电薄膜地研究.pdfVIP

袭3是PMN-xPT系列和(1-y)[(1-x)PMN-xPT]-yBT系 列电致伸缩性能，品质因数M=x／E2，单位为×10。6m2v～； E=1000V／ram。 由表2可见PMN-PT中掺入微量BT后，材料的介电 常数最大值减小，屠里温度也降低，然而从介电常数温度曲 线(图6)上表明，BT加入后材料弛豫性反而增强。这是由于 BT的掺入．加剧系统的组分起伏，从而增强扩散相变的效 应。 圈7是BT加入后材料的电致伸缩应变曲线。 图6．不同BT含量时PPl2 介电常数一温度的关系曲线 PP4PP7 PPl0PPl2PPB7佗PPB9，2PPBll也PPBl2／2 I组成 PPBl214{ J(‰)+0．45 O、72 O．88 0．94 0．48 0．74 0．80 0．90 o．85 M 4．5 7．2 8。8 9．4 4．8 7．4 8．O 9．0 8．5 #*} 目坩 l∽ “Ⅳ ^口 p H ≮。 夕 心 8 ’∥．_ 疋 沙 ＆ (a)PPB7／2 (b)PPB9／2 (c)PPBl212 (d)PPBt2，4 图7．PMN-PT-BT电致伸缩应变曲线 对于弛豫铁电体而言，在居里温度以上的介电常数．温度关系符合以F规律： 2 1／￡=1／￡。+(T—T。)5／2e。6 (1) 式中e为介电常数；￡。为最大介电常数；Tm为对应最大介电常数的温度值；T为T。以上温度(T ≥T。)；6是描述扩敞相变程度的参数，单位℃，该值越大，扩散相变越强。若对(1)式进行变换后， 可以得到以下关系式： △T嚣T—T，6 ! r 以T--Tm对【2(二生一1)】2作图，其斜率则为6(图8)，该直 占 线斜率42．8即为6值。现将部分材料的6值列于表4。 结果表明，PT含量增加扩散相变减弱，而BT掺入，则扩散 相变增强。此外，由于BT的加入，使A位由单一的Pb：+离 ㈣㈣口∞㈣Ⅲ㈨… 子而变成由部分Baz+替代的两种A位离子。因此在局部 微区，除了具有B位离子Mg：Nb=l：1有序微畴外，还可能图8．PPBl2／4试样(T—Tm)～ 出现A位离子的有序排列，从而进一步增大PMN．P■BT 。 ! 的有序度。 【2(趣一1)]2关系图 占 试样 PP7 PPl0 PPl2 PPBl2／2PPBl2／4 6(℃) 39 37 34 39 43 从表4和图7可以表明，BT的加入使材料的滞后效应明显减小，而对电致伸缩应变量却 影响不大闺而PMN．PT-BT系列材料是一种具有实用前景的电致伸缩材料。 4．结论 本文讨论了PMN为基的弛豫铁电体的制各和机电性能及电致伸缩性能。确定材料的 最佳烧结温度，控制合适的晶粒尺寸，防止晶粒过大和二次重结晶，对提高材料电致伸缩性能 有明显影响。PT的加入可以明显增大电致伸缩效应，但当PT含量超过lOm01％时，滞后效应 明显，而少量BT的掺入可以增加材料的有序度，提高扩散相变程度，抑制滞后效应，却对应变量 的影响不大。因此，PMN-PT—BT系材料是很