Nb掺杂BaTiO3电子结构研究.pdfVIP

2009年中国高校通信类院系学术研讨会论文集 Nb掺杂BaTi03的电子结构研究 涂才根刘诺张曦 (电子科技大学微电子学固体电子学院 四川 成都610054) o．5)的电子结构．研究表明：-3x0时，体系表现为直接带隙结构，与未掺杂时的间接带隙结构 不同，且在掺杂情况下费米能级进入导带．根据态密度计算结果分析可知，随X的增大，导带的 分布区域越分散，分波态密度也向能量更低的方向移动． 关键词：第一性原理；能带；态密度；BaNbxTil．x03 TheResearchofElectronicStructureofN BaTi03 b--Doped TU LIU Xi Cai-genNuoZHANG ofMicroelectronicsandSolid-state Scienceand ofElectronic Technology (School Electronics，University of Sichuan China，Chengdu610054) Abstraet：Tl舱electronicstructureofBaNbXTil．x03with and0．5iscalculatedbasedon x=0。0．25。0．33 thefirst of function resultsrevealthat BaTi03showsdirectband principledensity theory．The Nb-doped whilet11eidealBaTi03showsindirectband theFermiIevelof structure structure。and gap gap Nb．doped BaTi03movesintoconductionbands．The ofconduction andPDOSmoves dispersion bandsisaggravated tolower withincreasedNb concentmtionfromtheresultsof ofstates． energy doping density of states；B搬Til一x03 Keywords：firstprinciple；energyband；density 1 引言 由于通信技术的迅猛发展，对器件的要求也越来越高，材料的优良性质就显得尤为重要。铁电材料的 良好铁电性、压电性、热电性、高介电常数和大电光系数，在微电子、通信、信息等领域有着重要的潜在 应用价值【l】。BaTi03是在50年代首次被研究的铁电材料圆，作为一种典型的钙钛矿型功能材料，近年来受 到国内外学者的广泛研究。无论在实验上或是理论上，对BaTi03的研究都较为深入。 然而，理想BaTi03的性质并不能完全满足现阶段人们对材料的要求，学者们发现，往BaTi03中掺入 一定的杂质元素，可以给材料带来新的性质，往往可以根据所需要求掺入特定元素。Nb是一种重要的元素， 中科院物理研究所的颜雷等人已经通过激光分子束的方法外延了Nb掺杂的BaTi03薄膜13】