固态磷源分子束外延生长探究.pdfVIP

固态磷源分子柬外延生长研究 郝智彪、卢京辉、任在元、罗毅 集成光电子学国家重点实验室·清华大学电予工程系，北京100084 擅要：本文在国产分子束外延设备的基础上，引进了一套RIBER的全固态源炉并尝试 着进行了材料生长，获得了一些初步结果。利用三温区阎控裂解磷源炉生长了非故意 掺杂的haP表面形貌良好，生长速度约O．5 I．tm／hour，载流子浓度约为．1×10”cm。。 一、引言 含磷材料的主要手段，但它们使用有毒、易燃易爆源料所带来的安全、环保及费用等 问题将最终限制其发展p1。因此，发展全固源MBE技术引起了广泛关注。 九十年代发展起来的基于三温区阀控裂解技术的全固源MBE技术12，”，克服了传 和GSMBE所面临的问题，在外延质量、成本、安全性及可操作性等方面均具有相当 的优势，因而成为了生长含磷材料最有希望的外延技术之一。 本论文将介绍在国产分子束外延设备上嫁接了进口新型固态源炉的MBE及其含磷 化合物生长的实验结果。 二、实验与结果 我们所用的MBE系统为国产Fw．IV型分子束外延系统，磷源炉为RiberKPC250。 该源炉为三温