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硅中氧的分凝系数研究 田达晰杨德仁沈益军张锦心李立本阙端麟 浙江大学硅材料国家重点实验室 310027 [摘要]硅单晶中氧的浓度取决于其在熔体和晶体中的分凝。本文利用Fourier变换红外 光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝，实验指出氧的平衡分凝系数l(0小于1。为0．26，而不是 通常认为的大于1． 一、前言 直拉(Cz)硅中的氧浓度是决定硅片质量的一个重要因素。一方面直拉硅中过多的 氧在晶体生长或器件制造过程中会引起堆垛层错，位错环，氧沉淀等热诱生缺陷；另一 方面，硅片内部的氧沉淀又能提供内吸杂位置，对重金属杂质和过饱和点缺陷具有吸除作 用。因此，硅单晶中的氧的控制已成为直拉硅生产的重要课题。在生长界面上熔体中的 氧进入晶体的过程是由氧的分凝系数决定的，氧的分凝是研究控氧的一个重要的基本问 题。 人们普遍采用的硅熔体中氧的平衡分凝系数值是1．25，但仍然存在许多争议，有很 多人认为是1或是小于1的值。研究者报道的氧平衡分凝系数的值分布在0．5～2．5这一 较宽的范围内”’。本文采用红外吸收法测量多晶中氧浓度的方法，研究硅熔体中氧的有 效分凝系数和平衡分凝系数。 二、实验方法 晶体生长在siltee860-C硅单晶炉中进行。在单晶尾部未端直径lcm的位置取晶体 试样，其氧浓度设为平衡圈相中的浓度cs。在每一炉的坩埚尾料中随机的选取五个位置 取多晶试样，将其氧浓度的平均值作为硅熔体中与前述晶体试样平衡的氧浓度c。。这样 做的理由是：在收尾的最后阶段(如从直径tam左右开始)，一方面晶体直径己很小，若 保持足够多的坩埚尾料，直径的变化对熔体挥发面积的影响可以忽略，另一方面，此时 析出的晶体量很小，析晶对熔体氧浓度和熔体量的影响可以忽略，且从直径lcm左右到 晶体最后从熔体中脱开所需时间也很短．因此，可以认为收尾的最后阶段熔体中的氧浓 度保持不变。 拉晶的收尾阶段，控制晶体从熔体中脱开时坩埚内剩余熔体的厚度约等于lcm左 右。如剩余熔体太多，熔体难以快速冷却，多晶中氧分布不均匀；如剩余熔体太少，一 方面难以保证上述晶体试样对应的熔体和晶体尾部脱开时的熔体具有相同的氧浓度，另 一方面难以保证熔体的深度远大于固液界面处氧边界层的厚度，以在固液界面建立稳定 的氧扩散边界层。 单晶和多晶中氧浓度采用Nicolet410型Fourier变换红外光谱仪按ASTM标 Impact 准方法测量”’，校正系数为3．14， 三、实验结果与讨论 (一)实验结果 本实验共拉了五炉单晶，通过调整埚转，晶转和拉速等晶体生长参数，使生长出的 硅单晶尾部氧浓度各不相同。表一是五根单晶的多晶尾料和晶锭尾部氧浓度的值。从表 中可以看出，多晶尾料氧浓度明显大于晶锭尾部的氧浓度，也就是说，此时氧的有效分 凝系数是小于1的。由于Km的值总是介于K0和1之间，预计氧的平衡分凝系数是小于l 的． 表一 多品尾料和晶锭尾部的氧浓度 单晶编号 多晶氧浓度 晶锭尾端氧 有效分凝系数 (K。ff) (cL’ppma) 浓度 (cs．ppma) 1 28．8 9．4 0．33 2 29．1 10．3 0．35 3 40．5 10．8 0．27 4 418 9．7 0．23 5 24．1 8．7 O．36 根据有效分凝系数．依据Burton—Prim-Slichter关系式：…“ r一生一 坠 一盯一，1