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混合应变量子阱材料的x—射线双晶衍射研究 张哲民金锦炎黄格凡刘涛刘自力李云樵李同宁 武汉邮电科学研究院电信器件公司武汉430074 赞德修 华中理工大学光电子工程系武汉430074 摘要:我们研究了混合应变量子阱结构的MOCVD生长,并通过X射线双晶衍射曲线理论模拟,对混. 舍应变量子阱结构进行了分析.归纳出了混合应变量子阱结构的x射线双晶衍射曲线满足的规律. 一、前言 混合应变量子阱材料是由压应变量子阱和张应变量子阱两种量子阱材料组成.在偏 振无关半导体激光放大器“1和双偏振双波长激光器”1中,有源区一般都采用混合应变量子 阱结构. x一射线双晶衍射方法是研究外延材料组分和晶体结构的重要实验方法,由于它对样 品无损伤和污染,已成为检测外延材料晶体质量和结构、外延层应变和组分、层厚与晶 体弯曲的有效工具.对较复杂的多层结构(如多量子阱或超品格),则必须对实验曲线进 行理论模拟才能得到准确的信息.周期性结构的x一射线双晶衍射曲线有周期性的卫星 峰,卫星峰之间的间隔反映了生长的周期;0级峰反映了周期结构的平均应变量(平均晶 格常数).如果实际生长的晶体很完美,则其衍射曲线与理论模拟曲线很接近. 我们在成功地生长出纯压应变量子阱和纯张应变量子阱材料的基础上,又研究了混 合应变量子阱结构的MOC、/D生长.将两种应变量子阱以不同组合进行生长,对生长的混 合应变量子阱材料进行了x射线双晶衍射分析,并对衍射曲线进行了模拟.张应变量子 阱结构的x射线双晶衍射曲线较难分析,主要是某些时候不易确定0级峰”’.解决问题 的最好方法是理论模拟,特别是混合应变量子阱结构更要依赖模拟方法进行分析.双晶x 软件.下面就对我们生长的几个混合应变结构进行x射线双晶衍射分析. 二、理论模拟结果 混合应变量子阱结构是由不同应变类型的量子阱交替生长形成的,即:张(压)应变 量子阱一垒层一压(张)应变量子阱一垒层一张(压)应变量子阱、….所以两种应变量子 阱的个数要么相同,要么只相差一个.我们生长的混合应变量子阱材料的结构主要有以 层的宽度和应变量分别为№、*、%和a、&、n.模拟计算表明,混合应变量子阱结 构的x射线双晶衍射曲线在理论上满足下述规律: 1. 衍射卫星峰的角间距对应的周期结构包括一个张应变量子阱,一个压应变量子阱和 两个垒层.即周期以一№+%卵%,0级峰对应的净应变量为 &.}一f£t%+sowo+2c,wb.)/A . 2. 与普通周期结构规律相同,混合应变量子阱结构周期越多,卫星峰越窄,强度越大. 3. 在两种应变量子阱数相同的基础上(如三个周期的3C3T或3T3C结构),增加一个(压 应变或张应变)量子阱,并不影响0级峰的位置;只是使该应变类型对应的卫星峰强度有 所增强(张应变主要影响衬底峰右侧的卫星峰,压应变主要影响衬底峰左侧的卫星峰). 4. 周期结构中张应变量子阱和压应变量子阱顺序不同,对衍射曲线没明显影响(如 3T3c与3C3T结果相同). 三、理论与实验曲线的比较 这里给出几种结构的测试结果比较,见图1.我们可看到,与理论模拟结论相同, 3T2C、3T3C与4T4C的衍射曲线基本相同,卫星蜂的位置并没移动.由于总的净应变量 为张应变,加上压应变量子阱窄(衍射效应差),使得张应变区的卫星峰强,而压虚变区 的卫星峰很难分辨出来.由卫星峰角间距计算周期为45nm,与设计的相符.模拟出的结 构为,压应变量子阱宽为5he,应变量为0.6%;张应变量子阱宽为12flm,应变量为-0.75%; 垒宽14nm,应变量为0.14%.卫星峰的级次不能从峰的相对强度看出,必须靠实验经验 及理论分析和模拟才能正确确定.根据模拟结果(具体见下文),我们在图I中标出了衍 射卫星峰的级次,0级峰在衬底峰背景下几乎分辨不出来.图l中点划线表示衬底峰, 箭头所指的峰对应于有一定压应变的波导层. .2●. 100k ^jI嗣竹l 10k C:、+2+3,:s 里 1kp—朴—“’妒 \{v—√帅。l蝴。。 三 州”伊“州蚺∥ 5 100 o

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