Y2Si3O3N4%3aCe3%2b的合成与发光性能研究.pdfVIP

Y：Si。0。N4：Ce3+的合成和发光性能研究 鲁法春，刘泉林1 北京科技大学材料科学与工程学院，北京，100083 稀土发光材料因具有无毒、长寿命、性能稳定和环境友好等特点，在半导体发光照明器 件中得到了广泛的应用。氮化物中氮离子的共价键键能较高，因此氮化物具有结构稳定、抗 氧化性和抗腐蚀性等优点。氮化物除作为力学或热力学器件被使用和研究外，稀土掺杂的氮 化物作为发光材料也引起了人们的研究和重视。当稀土离子掺杂进氮化物晶格中时，因为氮 离子具有较强的电子云膨胀效应，稀土离子激发能级被降低而更容易产生靠近长波方向的发 射光谱，可满足白光发光二极管(LED)的需要。氮化物发光材料中，已被合成和研究的化 光材料都表现出了较为优良的发光性能。我们的研究点主要集中在钇的氮氧化合物中，目前 种化合物的合成条件要求较高，需高温和高压。作为具有潜在应用价值的发光材料，他们的 结构性能和发光性能还未有详细的研究。 经过多次的尝试，我们通过高温固相反应法合成了Y：Si。03N。，并对其掺杂Ce3+的发光性 能进行了研究。我们收集了Y2Si303N4粉体的X射线衍射数据并使用软件MDIJade5．0及 FullProf2000对其结构进行了研究。处理结果表明，所合成的粉体为Y2SisO龇相，四方 对称，空间群为P一42tm，晶格常数a=b=7．6017nm，c=4．9095妯，晶格常数值略小于前人 的研究结果嘲。X射线衍射花样如图1所示，宰代表YSiO：N。 我们对不同ce3+掺杂量的样品的晶体结构进行了Rietveld精修，精修结果表明，Y。Sis03N。 的晶胞参数值随着ce3+掺入量的增加呈线性增加变化，即ce3+离子进入了晶格，替代了Y3+ 的位置。光谱测试表明，所合成的Y。Si。O批：Ce3+发光材料的激发光谱和发射光谱均对应于 能级，发射光谱为单峰宽带发射，发射谱带位于蓝绿光区。随着Ce3+浓度的增加，在2％掺杂 浓度时，发光最强。初步研究表明，YzSi。O扎：Ce”发光材料是一种具有潜在的应用价值的 发光材料。 1联系作者。电话：010E-mail add怕ss=qlliu@mawr．u蛐．edu．CR 171 一∞_c300一参一∞c卫c一 1000 0 图lY2Si。03N。的XRD图谱 参考文献： and intheY-Si—O-N a1．ElectronicStructureBonding Ouyang，et 【1】W．Y．Ching，Lizhi B，2004，VOI．70：085105． QuaternaryCrystals，Phys．Rev ofNi and in trogenOxygen a1．，Ordering 【2】P．L．Wang，P．E．Werner，et MelilitesY2Siz03N4and Nitrogen—containing V01．7：2127． 172