4H-SiC肖特基二极管抗辐射特性地研究.pdfVIP

——一 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 4H—Si C肖特基二极管抗辐射特性的研究 宁 瑾刘忠立 孙国胜 高见头 (中科院半导体研究所，北京市912信箱，100083) 摘要：本文讨论了高电题4H-SiC肖特基二极管的辐射效应，制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管，并 对其抗总剂量辐照特性进行了研究。样品在经过1×106rad(Si),总剂量辐照以后，直流I．v特性没有明显变化，C．V 特性稍有变化，因此，所制备的4H-SiC肖特基二极管具有良好的抗总剂量辐照特性，可以应用在极端恶劣的军 事或空间环境中。 关键词：4H-SiC，肖特基二极管，总剂量辐射，1．V特性 SiC材料是第三代宽带隙半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子 饱和漂移速度等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。人 们自从1963年就已认识到SiC器件可用于辐射环境0[1】，但是长期以来由于晶体材料的限制， SiC器件一直没有得到很好的发展。近几年来，随着高质量SiC体材料的生长工艺逐渐成熟，SiC 器件又逐渐受到世界各国的重视。由于SiC的击穿场强超过了Si的10倍以上，因此可制备高压 高功率SiC肖特基器件，考虑到这种器件在军工和空间应用中有广泛的用途，因此研究它的抗辐 射特性是非常必要的。 本文中，我们在n型4H-SiC材料上，选用Ti金属作为肖特基接触金属，制备出肖特基二极 射总剂量为l×106 I．V特性和C-V特性，并根据测试结果计算出肖特基接触的势垒高度、理想因子以及外延层的载 流子浓度。从测试结果来看，在辐射前后4H．SiC肖特基二极管的I-V特性和C-V特性均没有明 显变化，计算出的理想因子和势垒高度略有漂移。因此，4H．SiC肖特基二极管具有良好的抗总剂 量辐射特性。 1实验样品制备 衬底选用Cree公司的n+型SiC材料，晶向 为(0001)，掺杂浓度为3×1018／cm3，采用LPCVD 方法外延生长rl-型SiC材料，外延层掺杂浓度约 为101。7／cm3，厚度约l“m。对外延结构材料清洗 以后，首先在11000C下，采用H2、02合成的 办法进行氧化，经椭偏仪测试，氧化层厚度为 300h左右，然后采用PECVD方法生长Si02约 5000A，作为肖特基二极管之间的绝缘层，同时 还可用来形成反向电压的终端保护环。接着漂 去背面的Si02，电予束蒸发铝，然后在500。C 的H2气氛中合金半小时，形成欧姆接触。正面 光刻，去除肖特基二极管有源区内的si02，然 图1部分4H—sic肖特基二极管器件 后磁控溅射TiAu，剥离形成肖特基接触，最后 4l 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 为了形成良好的肖特基接触，在500。C的N2气氛中退火30秒。 设计的肖特基二极管的上电极为圆形，直径分别为1509m和3009m，图l所示为制备出的 二极管器件。 2实验结果与讨论 对不同尺寸的4H-SiC肖特基二极管，在辐照前首先用keithley综合参数测试仪进行了I-v 测试和C-V测试，根据测试结果计算出肖特基接触的势垒高度和理想因子以及SIC外延层的掺杂 浓度。然后样品在中科院生物物理研究所Co∞源上进行，辐射时没有加偏压。辐射时剂量率为 280tad(si)／s，辐射总剂量为lX 行I-v测试和C-V测试，并完成相关计算和分析工作。 2．1 Ti／4H-Sic肖特基二极管的I-V特性 4200综合参数测试仪对辐照前后的4H—SiC肖特基二极管进行直流I-V测试， 采用keithley 图2和图3为测试得到的正向IW曲线，图2的肖特基二极管正向电极为直径150“m的圆点，图 3的肖特3--极管正向电极为直径300pm的圆点。二极管的反向漏电流小于10母A的量级，由于 外界测试环境的干扰，没有得到反向I．V曲线，但根据测试过程所得到的结果可以看出辐照前后 反向漏电流的量级没有变化。 ，