Bi4Ti3O12薄膜的慢正电子束探究.pdfVIP

嚷犷 ‘ 第九届全国正电子谱学会议 侧劳， Bi4Ti301:薄膜的慢正电子束研究’ 王耘波)。‘郭冬云’).于军’)，高俊雄’)，周春兰2)，马创新2)，王宝义2)，魏龙2) 1)华中科技大学电子科学与技术系，武汉，430074 2)中国科学院高能物理研究所核分析室，北京，100049 摘要:采用Sol-Gel工艺在p-Si衬底上制备Bi4Ti3012薄膜，利用慢正电子束测量了不同退火 温度处理的Bi4Ti3012薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系，研究退火温度对Bi4Ti3012 薄膜中缺陷的影响。 关键词:慢正电子束:Bi4Ti3012;Sol-Gel工艺;缺陷 一、前言 铁电存储器 (FerroelectricRandomAccessMemory,FeRAM)是一种在断电时不会丢失 内容的非易失存储器，与其他传统半导体存储器相比，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射 等优点，受到了人们的广泛重视，己成为存储器家族中最有发展潜力的新成员之一，但进一 步提高其存储密度和可靠性等问题仍然鱼待解决[[1.21研究表明铁电薄膜中存在的缺陷是影 响FeRAM可靠性的重要原因之一，因此，入们采取多种微观分析手段研究缺陷对FeRAM 可靠性的研究3[[.41 慢正电子束流装置是利用正电子与材料内的电子相互作用、湮没机制来研究表面和界面 缺陷的一种灵敏的核探针。慢正电子束是由正电子放射核素或者加速器等产生的高能正电子 经慢化后形成单能的及能量连续可调的正电子束流，通过改变其注入能量可以注入到样品的 不同深度。利用正电子对样品中电子动量分布的敏感性一多普勒展宽能谱和湮没辐射的角关 联测量。由于在样品中，缺陷的电子密度、电子动量分布与完整晶格的不一致，如果正电子 能够被这些缺陷俘获，那么湮没矢量就会与在完整晶格中的不同，通过测量湮灭丫射线的多 普勒展宽谱，就可以探测这些缺陷性质[5,61 在本研究工作中，我们采用慢正电子束流装置对钦酸锡铁电薄膜中缺陷进行研究。 Bi4Ti3q2(简称BTO)是一种性能优良的层状钙钦矿结构铁电材料，适合应用于FeRAM[71。在 铁电薄膜制备过程中 退火温度是影响薄膜缺陷的重要参数，因此研究BTO薄膜缺陷与退 火温度关系具有十分重要的意义。本文采用Sol-Gel工艺制备BTO薄膜，利用慢正电子束 测量了不同退火温度处理的BTO薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系，研究退火温度 对BTO薄膜中缺陷的影响。 二、实验 选择硝酸秘 (Bi(N03)3*5H20)和铁酸四丁醋 (Ti(OC4H9)4)为原料，以乙二醇甲醚和 乙酞丙酮为溶剂制备前驱体，其中锡过量 10%以补偿热处理过程中秘的挥发。采用旋转涂 膜法在p-Si上制备BTO薄膜，匀胶机转速为4000rpm，匀胶时间30s。将制备的湿膜放入 350℃的炉内烘干15min，使有机溶剂挥发和有机物分解，得到无定形态BTO薄膜。重复 上述涂膜和烘干过程，得到所需厚度的BTO薄膜。我们制备的BTO薄膜厚度为200nmo 薄膜样品的退火处理条件:在氧气气氛中，从室温以10Clmin的升温速率升至设定的退火 温度 ((600-800℃)，保温30min,随炉冷却至室温。 _‘、_界用_P州ax-RB型x封线衍射仪分析薄膜的物相结构。BTO薄膜的多普勒展宽正电子 Mr谱M;9量在北京高能物理研究所的慢正电子束装置上完成的。由放射源22Na衰变产生 的正电子经过金属W网慢化器慢化后，由偏置电压约为10ov的栅极引出，经余弦线圈能 量分析器选出的具有单一能量的正电子由漂移管型静电加速管进行加速，加速电压从0-30 ’本工作得到国家自然科学基金和湖北省自然科学基金 (2002ABA061)资助。 — 17 — 韶澎布 9thNationalConferenceonPositronAnnihilation 淤 kV连续可调，高压电源输出由计算机自动控制，输出电压最大偏差小于1%.，最后在纵向 磁场的约束下输运至样品室。探测器采用高纯锗探头，连接多道分析器至计算机，整套装置 内部处于真空度为l0Pa-1护Pa的超高真空中。慢正电子束的传输和聚焦采用静磁场方式。 装置中采用8个Helmholtz同轴线圈和1个附加同芯线圈产生约10-T的纵向磁场，磁场的 最大不