不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试和研究.pdfVIP

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2017-08-14 发布于安徽
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不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究——王莎莎陈兢张海霞不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究王莎莎陈兢张海霞北京大学微米／纳米加工技术国家重点实验室，北京，100871 摘要：测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧si02、LPCVDSiO：、LPCVDPSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力，结果表明，不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异。从多方面分析了残余应力差异产生的原因，实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据。关键词：微机械系统；残余应力；薄膜；牺牲层；氮化硅中图分类号：TN405 文章编号：1004—132x(2005)sl—0449一02 InternalStressMeasurementofLPCVDSiliconNitride onDifferentSubstrates Deposited Shasha ChenHaixia Jing Zhang Wang National ofMicro／NanoFabrication KeyLaboratory Technology， PekingUniversity，Beijing，100871 residualstressesofLPCVDsiliconnitridefilm on3 sacrificial Abstract：The depositedprevailing beenmeasured withthat onthe oxide，LPCVDoxide，LPCVDPSG)have respectively，andcompared depositeddirectly siliconsubstrate．Substantialvariationoftheinternalstresseshasbeenrevealed．Severalhavebeenillus— explanations trated．Theresultsareof benefittothe of MEMSdevices． great designcorresponding nitride Keywords：MEMS；residualstress；thinfilm；sacrificiallayer；silicon 0 引言表1薄膜生长实验条件由MEMS表面微机械加工工艺制备的薄膜往往存在薄膜类型淀积温度(℃) 膜厚(nm) 热氧Si02 1000 300 不可忽视的残余内应力。对于使用表面微加工的典型微结 LPCVD 720 300 SiOz 构如悬臂梁、微桥、微膜片，薄膜内应力将直接影响器件的 LPCVDPSG 680 300