硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力地研究.pdfVIP

硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究——杨 轶 张宁欣任天令等 硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究 杨 轶 张宁欣 任天令 刘理天 清华大学，北京，100084 摘要：采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况，通过调节 热氧化的二氧化硅层的厚度，优化了微声学器件中复合膜的残余应力，得到平整的振膜结构， 提高了器件的可靠性和成品率。 关键词：残余应力；基底曲率法；微声学器件；铁电 中图分类号：TB302．5；TB43文章编号：1004—132X(2005)14—1289一03 Residual inThinFilmsofSilicon——basedFerroelectricMicro——acousticDevices Stresses Yi Ren LiuLitian Yang ZhangNingxinTianling TsinghuaUniversity，Beijing，100084 residualstressesinthinfilmsofsilicon—bhsedferroelectricmicro—acousticde- Abstract：The vicesweremeasuredsubstratecurvature thethicknessofthermalsiliconOX— by method．By adjusting ide residualstressesofthe membranestructureareminimizedandaflatthinmul— 1ayer。the multilayer membranehasbeenachieved，whichenhances and ofthemicro—acousticde— tilayer reliabilityyield V1Ces． curvature words：residualstress；substratemethod；micro—acoustic Key 0 引言 法[81等。区别在于前两种方法是通过测量材料内 硅基铁电微声学器件口1是基于MEMS技术的部微观结构变形得到被测试的局部区域的残余应 一类新兴的声学器件，相对于传统的声学器件，它 力大小，后两种方法则是通过测量材料整体的宏观 具有体积小、重量轻的特点，对声场扰动小，抗震性 位移来测定残余应力，其中基底曲率法具有简单易 能好；与常规的IC加工工艺相兼容，可与半导体电 操作、无损快速的特点。本文利用基底曲率法测量 路集成，具备可批量生产、低成本的优势[2]。 了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力大 MEMS器件的制作涉及各种薄膜材料的生小。通过改变热氧化的二氧化硅层的厚度，降低了 长、淀积和刻蚀，由于基底材料的差异和工艺中的 复合膜的残余应力，得到了平整的振膜结构。这对 高温过程，薄膜中不可避免地会产生残余应力。按 于提高器件的性能、可靠性和成品率都是有益的。 成因，薄膜中的残余应力可以分为[33本征应力和非 1 基底曲率法原理 本征应力。本征应力也称内应力，其成因比较复 杂，本征应力通常来源于薄膜淀积工艺自身非平衡 由于残余应力的存在，淀积的薄膜会引起薄膜 的特性，可能的影响因素包含晶格失配、晶界弛豫、 下平整的基底发生翘曲。从薄膜一侧看，薄膜的张 相变等。非本征应力是由薄膜结构之外的因素引