PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹地研究.pdfVIP

第34卷 增刊 稀有金属材料与工程 2005年 6月 June2005 PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究 李海燕，吴小清，郝海燕，姚熹，任巍，张良莹 f西安交通大学，陕西西安710049) 抑制裂纹产生的原因。结果表明：PVAC能与钛酸四丁酯牛成聚乙烯钛酸三丁酯，并且能与溶剂乙二醇乙醚形成氢键， 这有利于立体网状结构的形成，这种网状结构增强了薄膜的弹性，抑制了裂纹的产生；同时PVAC的加入使PT薄膜的 晶化温度从550℃降低到500℃。 关键词：金属有机物热分解；聚醋酸乙烯酯：PbTi03薄膜；单层厚度：抑制裂纹产生 9 中图法分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(200s)sl一0986—04 1 引 言 国内难以得到。本实验介绍了用廉价的聚醋酸乙烯酯 铁电薄膜是近年来发展起来的功能薄膜，由于其 优良的介电性、铁电性、热释电性和光电性而备受重 新方法。 视【1】。因此铁电薄膜的制各技术也不断发展，较为重 2实验内容 要的有溶胶．凝胶法(Sol，Gel)、金属有机物热分解法 2．1 先驱体溶液及薄膜的制备 (MOD)、溅射法(Sputerring)等方法，其中MOD 与S01．Gel法有很多共同之处，均具有组分控制精确， 易于调整，结晶温度低，易于大面积制各而成为薄膜 铅(Pb(OOCCH3)2 制各的主流技术口~5l，但是该技术一次成膜厚度仅为 0．1Ixm左右，而一般制备器件所要求薄膜的厚度在0．5mol／L；用PVAC改性，合成1．0 PT薄膜的先驱体溶液。在单晶硅基片上热氧化一层 1．01xm左右，如果单层厚度超过0．159ra，会由于薄膜 应力不均而出现裂纹【6】。为了使薄膜达到所需厚度， 一般采用多次成膜工艺，这不可避免的会在膜内引入 界面应力、杂质，从而影响薄膜的结构和性能。多次 成膜工艺也迫使薄膜受污染的机会增加。因此，制各 单层厚度更厚的无裂纹薄膜成了目前重要的课题。 提高薄膜单层厚度主要有以下两种方法：添加超 2．2分析仪器 细陶瓷粉末和添加有机物(包括聚合物和低分子有机 物)。前者最早有Newnhamnl等人提出，Bernd Mathhes[8】等人利用该方法成功地制备出了单层厚度 为5．5um的PZT薄膜。然而该方法不适合制各小于 1啪的均匀致密的薄膜。R．Seveno[”等人用乙二醇抑 制裂纹的方法制备PZT薄膜，得到了单层厚度为 0．33I_tm的薄膜，但所得薄膜表面不致密；Hiromitsu 3结果与分析 Kozuka㈣通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)采用浸涂 3 1 的方法制得了厚度为1岬的BaTi03薄膜，但结晶温 红外分析和先驱体溶液反应机理 收稿日期：2004．12．28 基金项目：国家自然科学基金和“973”计划子项目(2002CB613305) 增刊1 李海燕等：PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究 ·987· 图1是PT先驱体红外光谱分析的结果，其中， 一E。“z—cHb 曲线A是没有添加PVAC的PT先驱体溶液，曲线B 烯钛酸三丁酯( 是添加了PVAC的PT先驱体溶液。由图知，在1742cm。 处的窄强峰