主链型热致性液晶聚酰亚胺%2fSiO2纳米复合材料的合成和电气性质研究.pdfVIP

高分子液品态与超分子有序结构研究进jf毫 苎!塑!丝塑塑幽!!!191塑!塑塑堕!!!!塑堡卫!堕型塑!Q堕要!曼坦堡望!， 主链型热致性液晶聚酰亚Jj安／Si02纳米复合材料的 合成与电气性质研究 何宗育Yenn—RongFan李俊毅 向湾科技大学搿分子亡程系，台汾 摘要：本研究为剥用所制备之有机堪俸(RACB+PMDA)先台成具有赦晶性之聚酰业胺隈 (LCPAA)，再经由与四乙氧基硅烷(TEOS．99％)和无水乙醇(Ethanol，998％1发生溶胶一凝腔反 应得到一含宙Silanol纳米粒子之液晶性聚酰亚胺酸／Silanot复台材料，并于加热脱水之热酰娅 胺环化反应后以形成液晶性聚酰砸胺／SiO：纳米复台材料。再藉由傅立时红外线光谱仪∥¨R) 鉴定其材料之官能摹及其化学结构，而POM可观察材料的液晶榴纹理，并探}寸纯的液晶性聚 酰亚胺与添加不嗣SiO：含量之液晶性聚酰弧胺其表面形态、热性质、机械性质、光学性质与电 气性质等：而其中主要是以电气性质米怍为本篇探讨之目的。 关键词：液鼎性聚酰亚胺；啊乙氧基硅烷；溶胶一凝胶反应；纳米复合材料 日前半导体电子产业迅速发展，聚酰亚胺常被广泛应用于电路板铜基材之绝缘材料以及 半导体组件内部之绝缘性封装等甩途，因此产业界对于电子用化学品和材料的需求日益提 升。它也可以用来作连结器、软性电路基板等电子零件，以及液晶组件上所使用的配向膜， 因此对于聚酰亚胺所要求的条件便越加严苛。 当半导体制程进入深次微米世代，集成电路(Integratedcircuit，ic)的技术主要着重于组件 的缩小化，然而，组件速度受限于讯号在金属联机闻传达的延迟效应(RCtime—delay)。为了 改善此问题，必须利用低介电常数材料来降低金属联机之导线阔的电容值及讯号在金属联机 间的时间延迟，进而提高组件之工作效率，并且可以降低功率的消耗(Powerdissipation)及讯 号干扰(crOSS．talk noise)。而有机，无机混成复合材料是目前学术界及产业界热门的研究主题， 其特征主要是利用有机的高分子材料与无机的陶瓷材料，如层状粘土(蒙脱土cla)r)或球状之 二氧化硅(Si09其两者之特性相乘面形成所谓的“纳米”复合材料，其L{{；I以溶胶(S01)一凝肢(Gel、 反应为制造此类材料的有效方法。当无机材料分数于有机基材其粒径大小在纳米的范嗣时， 借着分子与分子阋的作用力，克服传统材料在巨观上的相分离现象，以达到材料之高功能要 求。因此，本论文之研究内容即是利用不同比例的Si02无机材质，进行溶胶·凝胶反应，均 匀搅拌而使其有效地分散于有机的聚酰亚胺基材当中，以形成纳米级有机，无机混成复合材 Fax：02E—mml：M9204502@mallItr．UStextutw 何宗育等：丰链型热致性液晶聚酰业胺／SiO!纳米复合材料的合成峙电气性质研究 料，并进‘步探讨所合成之纳米复台材料的化学结构、机械性质、热性质、表面形态、设水 性质以及初步研究之电气性质等，其中以电气性质为本篇探讨之主题，， 2．实验部分 2．I实验材料 1一chloro一4一nitrobenzene，试药级，98％，Lancaster。 Potassium 9％，Scharian。 carbonate，试药级，99 N，N—dimethylformmnide(DMF)，工业级，99．98％，Tedia。 5％，madein Ethanol(EthylAlcoh01)，工业级，99Japan。 Ethanol(Eth，lAlcoh01)，998％，F1aka。 Tetraethoxysilane(TEOS)，≥99％，Fluka。 PalladJamon activatedcarbon(5％P(11，Acros。 N，N—Dimethylacetamide(DMAC)，试药级，Tedia。 Potassiumbromide，IR99+％，Acros。 grade d-chlorotonn，99