PN结的瞬态效应-讲解.pptVIP

第八章 pn结二极管的瞬态特性 8.1 瞬态关断特性 8.2瞬态开启特性 p-n结的反向瞬变过程可分为电流恒定和电流衰减两个阶段，相应的瞬变时间分别以ts和tr表示。ts称为存储时间；tr称为下降时间，trr=ts+tr即为反向恢复时间,(它是反向电流衰减到它的最大值的10%所需的时间）它比偏压从正向突变为反向的瞬变时间长的多。 图c可看出 （1）0tts区间pn结保持正偏（少子积累），即使外加电压达到使它反偏的程度也仍然如此 （2）t=ts点 va=0 正偏 ?耗尽区边界有少子积累， 反之， 耗尽区边界有少子积累?pn结处于正偏。 例题8.1 定性分析IF，IR，?p等对电荷存储时间和反响恢复时间即对i-t时间曲线的影响。 3.存贮延迟时间的定量分析 6.3 .1 电荷控制方法： 在p+n结二极管中，n区在t时刻x处的过剩少子?p(x,t) 则，整个中性区的过剩空穴电荷为： 3.存贮延迟时间的定量分析 为简单起见，以p+n结为例。 在p+n结中，存贮在n型一侧的空穴为QP, 存贮在p型一侧的电子可忽略。 QP满足连续性方程： 分离变量积分得： 1。定性分析 在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。 为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例：