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单片机原理与应用(三) 第七章 MCS－51单片机的扩展存储器技术 7.1存储器概述 7.1.1 只读存储器 1. 掩膜ROM(MROM)：须提供程序代码给供货商，再由生产芯片的工厂写入程序代码(烧录、固化)。 2. 可编程ROM(PROM)：只能进行一次性写入代码，由用户自行制作。 3. 可紫外线擦除编程ROM(EPROM)：经紫外线照射擦除后，可多次写入代码。 4. 电可擦除可编程ROM(EEPROM)：分为并行和串行操作芯片，可直接改写代码，但写入时的速度要比SRAM慢许多。 5. 快速擦写存储器(Flash Memory)：可替代SRAM。 7.1.2 随机存取存储器 1. 静态RAM(SRAM)：功耗大，不须配置刷新电路，单片机中常用。 2. 动态RAM(DRAM)：功耗低，但须配置刷新电路，单片机中不用。 7.1.3 特殊存储器 1. 加密ROM (KEPROM)：只能运行，不能读出和复制。 2. 双口RAM：供两个CPU共同使用，两个口都可以读写，但须异步读写。 3. 先进先出 RAM：另一种双口RAM，数据单向传输，一个口写入， 另一个口读出，可以同步读写。 4. Flash Memory：具有SRAM(快速)和EEPROM(可改写)的特点。 7.2 存储器扩展的基本知识 单片机中常用的存储器： 1. EPROM的型号有：2716、2732、2764、27128、27256等，称为27X系列。 2. SRAM的型号有：6116、6264、62128、62256等。 3. 串行EEPROM的型号有：24C01、24C02，24C04、24C08等，93C46、93C56等。 4. 并行EEPROM的型号有：2816、2817、2864等。 5. FLASH Memory的型号有：28F256、28F512、28F010等。 MCS-51单片机有16条地址线，其中有8条与数据线共用，有5条控制线。 (1)地址总线：由P0口(低8位地址)和P2口(高8位地址)提供。 (2)数据总线：由P0口提供。(注意：P0口为共用。) (3)控制总线： RD(P3.6)：外部数据存储器的读控制；例：MOVX A，@DPTR WR(P3.7)：外部数据存储器的写控制；例：MOVX @DPTR，A PSEN：外部程序存储器的读控制； 例：MOVC A，@A+DPTR ALE：锁存P0口输出的低8位地址信息；例：MOVX 或 MOVC 指令。 EA：片内‘1’／片外‘0’程序存储器选择。 当EA接高电平时，所访问的片内程序存储器是指0000H~0FFFH共4K的空间。 大于4K的那部分程序是放在外部扩展的程序存储器ROM中。 7.2.1 MCS-51单片机对存储器的控制 读写控制：对RAM芯片用RD和WR，例：MOVX @DPTR，A 对ROM芯片用PSEN，例：MOVC A，@A+DPTR 对即作程序又作数据的存储器(EEPROM)则要RD和PSEN相与做为读信号。 ALE LE P0.0~P0.7 373 OE 62128 2764 8051 A0~A7 A0~A7 Q0~Q7 Q0~Q7 P2.0~P2.4 A8~A12 P2.5 A13 A8~A12 RD OE CE CE WR WE OE PSEN EA 62128芯片的访问地址为：0000H~3FFFH 2764芯片的访问地址为：0000H~1FFFH 补充： CPU执行MOVX @DPTR，A的过程：(读写RAM) ①. DPL的值