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一种点状定向碳纳米管阵列的设计及其场发射性能研究 丁沭沂 雷威 张晓兵 王保平 东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中心 江苏省南京市四牌楼2号，210096 由p箱：!婴鱼璺旦丛：曼鱼丛：璺望，电话：025 摘要：考虑到目前定向碳纳米管阵列中图案单元的的直径较大，会在一定程度上影响其场发射性能，本 文拟利用电子束光刻技术，设计并制备出一种点状定向碳纳米管阵列，模拟计算和测试结果表明文中制 备出的点状定向碳纳米管阵列降低了定向碳纳米管阵列边缘效应，场发射性能得到了相应的提高。与图 案单元较大的碳纳米管阵列相比，开启场强下降了57％．阈值电压下降了23％。而且发射电流密度更大， 稳定性更高。 关键字：定向碳纳米管，热气象化学沉积法，边缘效应 引言 碳纳米管是目前场发射研究的主要材料之一，具有非常光明的前景，世界上各大科研机构都在积极 努力，以进一步实现碳纳米管在场发射器件中的实际应用和产业化。在大电流密度场发射器件(例如冷 阴极X射线管和微波放大器)的制备中，对于碳纳米管发射阴极阵列的分布均匀性和取向性要求较高， 而定向碳纳米管阵列阴极因取向性好，场发射性能优异具有很大的应用潜力。前期文献报道的定向碳纳 米管阵列中图案单元的的直径大约在几十微米左右【1．3】，考虑到碳纳米管阵列的场发射主要集中在边 缘，如果碳纳米管阵列中，图案单元的面积太大，就造成了面积的浪费，同时限制了发射电流的提高； 因此本文将在热气相化学沉积(TCVD)法制备定向碳纳米管基础上，利用电子束光刻技术，设计出了 一种点状定向碳纳米管阵列，将其图案单元的直径降低以此增强边缘效应，优化场发射体的发射性能。 1、 点状定向碳纳米管阵列的制备 催化剂化学气相沉积(CVD)是一种比较流行的制备定向纳米碳管的方法，即在Fe，AI，Ni等金属催化 剂作用下，从碳氢化合物中裂解自由碳原子沉积而形成纳米碳管。目前常用的CVD法有TCVD法和等离子 增强的化学气相沉积(PECVD)法．本文将采用TCVD法制备定向碳纳米管。 催化剂图案的制备采用电子束光刻技术，催化剂薄膜选用铝(厚度10nm)和铁(厚度lnm)组成 的双层结构，催化剂图案的制备流程如下图1所示，首先，选用重掺杂的硅片作为衬底，在丙酮(acetone) 和异丙醇(tPA)中清洗去除表面有机物和其他杂质，烘烤至180(2以去除表面的水分：接着在表面旋涂 (spin-coat)一层电子束光刻胶，在180。C温度下坚膜90秒后就可以进行电子束光刻了：我们将光刻胶 旋圉PMMA 电子束光翔 磋控溅射催化剂薄膜 显蓁影 剥落。淫羔丙酮溶液， 图1点状碳纳米管阵列的制备流程图 730 刻蚀出所需要的图案，经过显影，就制备出了具有图案的光刻胶掩膜；然后通过磁控溅射的方法在样品 的表面溅射催化剂薄膜，这里的催化剂是由两层薄膜组成的，下面一层是Al薄膜，上面是Fe薄膜；接下来 是剥离过程，将样品浸入丙酮中，这样没有被曝光的光刻胶就被丙酮溶解，光刻胶表面的催化剂层自动 脱落；最后样品表面就只剩下了具有图案的催化剂薄膜。 具有图案的催化剂制备好后，开始用TCVD法生长定向碳纳米管，在生长之前，制备好催化剂的基底 并放置在石英舟里；然后将反应室抽真空至10‘3 mbar除去杂质和水蒸气；碳源气体为氨气和乙炔气体． 生长温度控制在560。C时，保持气压在10mbar,可以通过控制生长的时间来控制碳纳米管的高度。根据 SEM图像。 弦≯棼紫溉穆：l ㈠枣’：。：；氛焱| 氢 簟 盛 妻； i愈／ L≮竺二f≮鬻 列；(d)是其高倍数SEM图像 2、结果与讨论 在真空度为5×10缶