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一种磁电可调双通带滤波器 朱锋杰 周浩淼 肖 英 夏哲雷 中国计量学院信息工程学院，浙江杭州310018 摘要：该文结合耦合带滤波器的微波传输原理和铁氧体/压电层合磁电材料的铁磁共振效应，设计 了一款应用在2-10GHz频段范围的磁电双可调双通带滤波器。分析了其工作机理，通过HFSS平 台进行模拟仿真，结果表明滤波器通带部分的插入损耗约为-3dB，阻带部分最大插入损耗达到- 20dB，同时验证了其磁电可调的有效性。 关键词：铁磁共振；磁电耦合；磁电可调 TN911 A 18 杭州电子科技大学学报 2012年 计了磁电微波双通带滤波器，其设计思路如图l所示，在磁电可调单通带滤波器的基础上于两条微带线 之间增加一块磁电层合材料，从而得到磁电可调双通带滤波器。当YIG层处于铁磁共振状态时，输入 和输出端的微带线与层合材料发生耦合，从而使FMR频段的能量从输入端传输到输出端，达到双通带 的效果吲。 图1双带通滤波器的实现原理 X 7c 滤波器的结构模型如图2所示，YIG尺寸为5．5mm1．9mm×0．1lmm，饱和磁化强度4M。= 1 0．21mm，将其放置于尺寸为23mm×10mm×Imm，介电常数为10的氧化铝基底上。 分别对两块层合材料施加不同大小的偏置磁场H。、H。(H。H。)，方向均沿着x轴正向，则 7000e、1 仿真时通过分别在两块层合材料上施加大小为1 8130e的有效偏置磁场，得到插入损耗s：， 与频率f的关系曲线如图3所示。从图3中可以看出该滤波器通带部分的插人损耗约为一3dB，阻带 部分的插入损耗为一18dB，满足双通带滤波器的条件。同时若用户需要使用单通带滤波器，则在第 一块层合材料上施加所需外加偏置磁场H0，在另一块层合材料上施加的磁场H。=00e，双通带滤波 器便可以转换成单通带滤波器，即可以保留文献5中滤波器的功能：即在2—10GHz任意频段实现磁 电可调单通带。 J警”羽。眇G““微，“昝t 局三三主：j瑟■。蒸■i_了- ／ ／■————■———————■——————■ 么。。0盛自。蠢：≥二j —I—I。■I—■≯ } 图2双带通滤波器仿真模型图 图3插入损耗与频率的关系曲线 2磁电双可调特性分析 由于磁电可调微波器件最关键的环节为铁氧体FMR的磁电可调特性，故结合上述模型分别验证偏 置磁场和电场对FMR频率漂移影响的有效性。首先考虑外加电场为0，即8H。=0的情况，分析滤波器 第5期 朱锋杰等：一种磁电可调双通带滤波器 19 的磁可调特性。分别在两块磁电层合材料上施加不同的偏置磁场，即可得到该滤波器的磁调FMR频率 漂移曲线如图4所示，其中曲线1和曲线2分别表示Jb1Jn偏置磁场为17000e、18130e和17700e、 1 8830e两种情况时的插入损耗曲线。从图4中分析可以得出，随着偏置磁场大小的改变，滤波器中每 块层合结构FMR频率将发生漂移，但是偏移后的FMR峰形状与偏移前基本保持近似一致，带宽AH也 保持不变，由此可以证明该模型在磁可调性能的有效性。 7000e不变的情况下，考虑其电调特性。由于电 选取其中一块磁电层合材料，在9t,／JI磁场保持在1 场E对铁磁共振频率偏移的影响可以等效为相应的磁场8H。【7J，则此时式1可以转换为Hd=H。．，+ 仿真平台得到FMR频率的偏移变化如图5所示。当外加电场在0—3kV／cm变化时，记录不同外加电 出电场对于通带峰偏移的影响是近乎线性可调的。 频ag(Gttz