华科模电--CH03-1半导体二极管及基本电路.pptVIP

本章主要内容 基本元件——二极管 二极管的特点 四种模型 特殊二极管 基本概念 载流子、自由电子、空穴 PN结 基本电路 开关电路、整流电路——普通二极管 稳压电路——齐纳二极管 §3.1 半导体的基本知识 半导体材料 半导体共价键结构 本征半导体 导电机理 载流子、自由电子、空穴 杂质半导体 P型半导体 N型半导体 PN结 小结 半导体本征激发只产生少量的电子-空穴对，空穴是半导体中的一种载流子。 P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子； N型半导体中的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 不管是P型还是N型半导体，它们都是电中性的。 * * 电子技术 第三章 半导体二极管及其 基本电路 模拟电路部分 第三章 半导体器件 § 3.1 半导体的基本知识 § 3.2 PN 结的形成及特性 § 3.3 半导体二极管 § 3.4 二极管基本电路及其分析方法 § 3.5 特殊二极管 1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体材料： 元素半导体：硅Si和锗Ge 化合物半导体：砷化镓GaAs等。 掺杂或制成其它化合物的材料：硼B和磷P 2 半导体的共价键结构 硅和锗的晶体结构 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 2 半导体的共价键结构 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 2 半导体的共价键结构 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 3 本征半导体 一、概念 二、本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，不存在载流子，它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 （1）载流子、自由电子和空穴 载流子：可以自由运动的带电粒子 载流子的数目直接影响了导电能力 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 二、本征半导体的导电机理 空穴是不是载流子？ (2)本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。因此温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 (2)本征半导体的导电机理 4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：掺入3价原子,如硼空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：掺入5价原子,如磷使自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 一、N 型半导体 施主原子 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 N型半导体中的载流子是什么？ 二、P 型半导体 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。因而三价杂质也称为受主杂质。 杂质半导体是否带电？ 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子