CdS多晶薄膜的结构与光学性能的研究.pdfVIP

CdS多晶薄膜的结构和光学性能研究 李卫，冯良桓，蔡亚平，冷文建，张静全，郑家贵，蔡伟，黎兵，武莉莉，蔡道林，雷智， 鄢强，夏庚培，周晓华，黎明 (四川大学材料系610064成都) 摘要： 本文采用化学水浴法(CBD)制备了CdS多晶薄膜并在不同温度下进行了后处 理．通过XRD，AFM，EDAX，XPS和光学透射谱的测试．结果表明：在玻片上刚沉积 的CdS多晶薄膜均匀，透明，致密：主要呈现立方结构：Cd和s的原子百分比约 ev．在不同温度下后处理会出现六方相的衍射峰， 为1：1：能隙(Eg)约为2．50 并引起晶面择优取向的变化，而这很可能是光学吸收边发生变化的原因． 关键词：CdS,多晶，薄J睨退火Y + ’ I’ ， 1引言 CdS多晶薄膜是异质结太阳电池一种重要的N型窗口材料，可以与P型 InP，CdTe，Cu，S．CuInSe，等形成异质结，在光伏转换方面具有广阔的应用前 景。同时由于其禁带宽度和载流子迁移率均较大，还是制作薄膜晶体管TFT 的重要材料。 制备CdS多晶薄膜的方法有很多种：真空蒸发法，化学喷雾法(CMD)， 电沉积法，溅射法，近空间升华法，丝网印刷法，高温喷涂法和化学水浴法 (CBD)。由于化学水浴法制备CdS多晶薄膜，工艺简单，成本低廉，成膜均 匀，质密，易实现大规模生产。因此，受到人们的广泛重视。我们也是通过CBD 法制得CdS多晶薄膜。并对其结构和光学性能进行了研究。l】-3] 2实验 2．1实验原理 2’与Cd2+易真接 由于CdS在水中的溶度积(Kp=1．4×10。)‘1’很小。S 反应生成沉淀CdS，成膜过程不易控制，且很难保证质量。因此必须设法控制 Cd2+和S 值保持在8．10。整个过程的反应方程式如下… Cd(NH3)4”+(NH2)2CS+20H一———◆ 其具体反应过程为氨水水解，并与cd2+络合生成Cd(NH3)4”提供cd源，硫脲分解生成 S2-,最后生成CdS薄膜．此反应过程在溶液和玻片上都有CdS生成，因此被称为同质过程。 同时，反应都是在离子或原子之间进行所以也被称做“原子到原子”或“离子到离子”的反 应。 2．2CdS膜的制备 实验用载玻片先用清洁剂清洗，然后用丙酮，甲醇超声振荡，最后用去离 子水多次煮沸。Nz气吹干备用． 所用药品均为分析纯试剂，采用二次去离子水配制。其中各成分的浓度为： CdCl 0．1 0．02mol／L。 2 0．002m01／L，NH3·H20 5mol／L，NH4C1 0．4m01／L，(NH2)2CS 反应温度控制在80士3℃，Pit值保持8．5-8．8。 反应装置与Inde 3eerKaur，D．K．Pandyaet．a1．采用的装置基本相同，见 6 文【3】． 2．3CdS膜的表征 cdS薄膜的结构采用丹东射线集团有限公司生产的Y4Q型衍射仪来分析确 x。辐射：微结构采用日本Seiko 定，扫描范围20—50。，扫描速度0．03。／秒，Cu Instrument S-450型扫描电镜系统里的EDAX分析薄膜的成分：而透射 采用日本HITACHI 谱采用北京普析通用公司的TU一1901型UV—VIS紫外分光光度仪获取，测量范 围200～800hm，扫描步长2nm。 3结果与讨论 3．1 刚沉积的CdS多晶薄膜 3．I．1 XRD分析 COS0)，式中D为晶粒尺寸，^为x射线波长，K为常数(一般取 式D=K^／(B nm． 1)，B为衍射峰的半高宽．计算得到晶粒大小