纳米电子学与纳米加工.pptVIP

纳米电子学及纳米加工 2001.11 纳米电子学的含义: 在0.1-100nm的纳米结构(量子点)内探测,识别与控制单个量子或量子波的运动规律,研究单个原子,分子人工组装和自组装技术,研究在量子点内,单个量子或量子波所表现出来的特征与功能,用于信息的产生,传递和交换的器件,电路和系统及其在信息科学技术,纳米生物学,纳米测量学,纳米显微学,纳米机械学等中应用的学科。 纳米电子学的三个主要方向： 集成微系统。 量子或纳米器件。 在上述基础上，开发和建立纳米和量子 级系统的数据处理，计算，管理以及量子通信网络的基础理论和基础科学。 分子电子学： 主要是利用共价键分子结构，与本体衬底分子隔离。器件的线和开关由单个的分子和纳米尺度超分子结构组成。 常规概念的微电子技术发展的极限： 原理性限制：10nm以下，半导体晶体的原子间距，热扰动，量子扰动，电磁扰动，量子力学测不准原理和光速等将成为原理性限制的基本因素。 技术性限制：20-25nm，短沟道效应，漏电流，导通电阻减小，速度饱和与扩散层固溶度等将成为技术性限制的主要因素。 ULSI--〉超集成化，超高集成器件制造成品率下降，特性不均匀和可靠性差等，严重阻碍了集成度的进一步提高。 工作速度，超细布线电阻增大，布线增长导致电阻/电容比增大，杂散电容的增大等抑制了速度的提高。 复杂性限制，设计，测试和检验时间的猛增，是复杂性结构的必然结果。 经济性限制，结构复杂化，制作成本上升，工艺复杂，设备成本增大。 微电子器件的发展 材料：高纯硅，锗，镓砷 工艺：光刻，掺杂，外延技术 理论：半导体物理 纳米尺度的新效应： 量子相干效应(Quantum interference effect) A-B效应(Aharonov-Bohm effect) 量子霍尔效应(Quantum Hall effect) 普适电导涨落特性(Universal conductance flutuations) 库仑阻塞效应(Coulumb blockade) 海森堡不确定效应(Heisenberg uncertainty effect) 纳米电路 美国Georgia技术研究所把RTD和CMOS硅电路相结合制造的纳米电路使速度功率和电路复杂性都比只用CMOS电路有根本改善。一个带六个单元的器件的一位时钟比较器相当于所有CMOS设计电路中的21个单元。 美国Stanford大学利用共振隧穿器件研制成单片触发电路。 SET面临的主要挑战和困难: 1. Background charge fluctuations remain the biggest technological bottleneck. In order to reduce the perturbation of these effects on SET circuits the critical dimension must be on the order of 2 nm. Unless significant progress can be made in controlling the background charges, it seems unlikely that Coulomb blockade circuits can be integrated on a large scale. 2. The required uniformity of devices is extremely demanding, raising doubts if they can be manufactured with the required tolerances at a reasonable price. 3.Even assuming that large scale integration is possible, solutions must be found on how to overcome the electrostatic interactions between devices. 4.Error tolerance for Coulomb blockade devices has not been investigated in great detail but it seems likely that in order to have adequate tolerances the device must operate either at lower temperature or higher voltage (