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InAlN/GaNMOS结构中深能级以及界面性质的研究
杨彦楠 王新强 许福军 卢励武 沈波
1北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京，100871
引言
InAlN/GaN高 电子迁移率晶体管
(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关
注 。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中
AlGaN势垒层，HEMTs将提供更高浓度的电
荷，这是由于InAlN比AIGaN具有更大的自
发极化。InxAl1-xN合金一个重要的特性是在
铟组分大约为17％时，它可以与GaN晶格匹
配。对于晶格匹配的Ino．17Alo.s3N/GaN结构，
在异质结界面处有最小的应力。
第十七曩仝■1七合柏·半摹体、饿波●l件和光电嚣件掌术量议开封’2012
levelcentersin GaN
16]R．X．Wang，Probingdeep
with
epilayersvariable··frequencycapacitance·Voltage
CharacteriisticsofAu／GaN contacts．
Schottky
Appl．Phys．Lett．89，142505(2006)．
作者简介：
杨彦楠，女，1985年生，硕士，在北京大学物理学
院宽禁带半导体研究中心学习，师从王新强老师。
导师简介：
王新强，研究员，北京大学物理学院，人工微结构
和介观物理国家重点实验室。
通信地址：北京市海淀区成府路209号
邮编：100871
联系电话
Emaih
yangyannan85@yahoo．cn
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