W-Ti共掺杂ZnO靶材制造和其特性研究.pdfVIP

中国可再生能源学会2011年度学术年会论文（光伏） W-Ti ZnO W-Ti ZnO WW--TTii共掺杂ZZnnOO靶材制造及其特性研究 * * ** 陈新亮 ，乔薇，陈雪莲，张德坤，魏长春，张晓丹，赵颖 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实 验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071 *E-mail: cxlruzhou@163.com 摘要：采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的 W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材（WTZO） 并研究了其相关特性；通过研究烧结温度（~800℃-1350℃）对WTZO 靶材微观结构和电学 特性的影响，优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶材经烧结后为ZnO纤锌矿结构，同时 伴有微量ZnWO 和Zn TiO 相生成；随着烧结温度升高，靶材的相对致密度呈现先增长后 4 2 4 稳定的趋势，其最大值达到94.3%，而方块电阻呈现递减趋势，其最小值为12.18Ω/□。 关键词：WTZO 靶材；烧结温度；相对致密度；方块电阻 1 备的Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜在可见 1 11 引言 ZnO 是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导 光范围内的透过率超过了93%；M. Jiang 等 [8] 体氧化物材料，其具有较大激子能量(60 人 成功制备了 Al–Ti 共掺 ZnO 陶瓷靶 meV)以及在可见光范围透过率高和电阻率 （ZATO），ZATO 靶的收缩率达到了22% 低等特点，因此，在太阳电池、平板显示、 相对致密度超过了90%，并采用射频磁控溅 特殊功能材料以及智能窗口材料领域被广 射法制备了 ZATO 薄膜,电阻率为7.96× [1,2] -4 泛应用 。ZnO 基透明导电薄膜因具有较 10 Ωcm，明显低于相同工艺条件下制备的 -4 好的光电性能可与ITO 薄膜相媲美，而且主 ZAO薄膜的电阻率（8.7×10 Ωcm）；阿部 要元素Zn 在地壳中含量丰富，价格便宜， 能之等人采用冷等静压技术制备了ZnO 和 无毒，近年来受到人们的极大关注。因此， WO 共掺杂In O 的陶瓷靶，靶材的电阻率 3 2 3 -3 作为制备TCO薄膜原材料的ZnO陶瓷靶材 最小为2×10 Ωcm 相应薄膜的电阻率为4.8 -4 [9] 是研究热点，其是决定镀膜质量好坏的关键 ×10 Ωcm 。由此可见，共掺杂靶材确实 因素。报道较多的主要有掺杂B、Al、Ga、 能够优化TCO 薄膜的性能。 In等ⅢA 族元素[3,4,5,6]的ZnO 陶瓷靶，也有 靶材的制造方法有多种，主要包括热压 在ZnO 中掺杂ⅣB 元素（如：