坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命影响.pdfVIP

第30卷专辑 中 国稀土学报 2012年8月 V01．30 RAREEARTHS Spec．Issue JOURNALOFCHINESESOCIETYOF Aug．2012 坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命的影响 张聪1’2，魏奎先1’2，马文会1’n，陈秀华3，张俊峰3 (1．昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室，云南昆明650093；2．云南省高校硅冶金与 硅材料工程研究中心，云南昆明650093；3．云南大学物理学与技术学院，云南昆明650091) 摘要：本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的 影响。结果表明：采用氮化硅涂层处理后，多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0．85 p．s提高到1．91螂；顶部和底部的少子寿 关键词：多晶硅；氮化硅涂层；少子寿命；位错密度 中图分类号：F407．3文献标识码：A 文章编号：1000-4343(2012)-0671_04 太阳能作为世界上最优秀的清洁能源，已经受 多晶硅材料的电阻率和少子寿命有很大影响，从而 到各国越来越多的重视。由于世界各国都对太阳能 降低太阳能电池的光电转换效率和使用寿命，因此 光伏产业给予了前所未有的重视，据欧洲可再生能 有害杂质的含量必须控制在一定水平以下[7。9]。 源委员会研究报告，太阳能工业到2030年将占据全 在冶金法制备太阳能级多晶硅的过程中，与高 球能源市场的8％[1]。硅以其高储量性、制备工艺的 纯石英坩埚相比，石墨坩埚的价格低廉，可以很好 相对成熟性、合适的能带结构、洁净无污染性及高 的降低生产成本。但石墨坩埚中大量的碳、铁、铝、 的性能稳定性等优点，成为商品化太阳能电池的主 钙、铜、镍等杂质在高温下很容易扩散到熔融的硅 要材料【2|。 熔体当中，影响冶金法多晶硅的纯度，在坩埚内壁 根据硅材料制备不同的原理，近年来多晶硅的 加上氮化硅涂层可显著降低石墨坩埚中的杂质对硅 制备方法主要可以分为4大类，即西门子法，硅烷 料的影响。本文在上述基础上，通过少子寿命和位 法，冶金法和其他方法【3J。其中，由于冶金法具有 错密度分析，分别研究了真空定向凝固技术条件下 工艺简单，成本低廉、环境友好等特点，采用该方 坩埚涂层对冶金法制备太阳能级多晶硅的影响。 法制备太阳能级多晶硅已经成为世界上研究的一个 1实验 热点[4]。 由冶金法制备所得的太阳能级多晶硅与单晶硅 实验样品采用云南怒江某厂所生产的工业硅 相比具有较高密度的晶界、位错、微缺陷等结构缺 原料，纯度约为4N，经过破碎之后，分别在超声 陷和大量的金属杂质(如铁、铝、钙、铜、镍、锰 条件下利用酒精和去离子水清洗，干燥。由于氮 [5]等)，这些金属杂质的存在及其与材料结构缺陷的 化硅粉体极易发生团聚，很不容易附着在石墨坩 相互作用很大程度上降低了材料的电学性能，进而 埚内壁，过厚的涂层在装料过程中也很容易脱落， 降低了太阳电池的转化效率[6]。铁、铜、镍等重金 故本文中所使用的涂层以反复喷涂5层使得氮化 属杂质在高温下具有很大的扩散系数和固溶度，所 硅涂层可以恰好完全覆盖石墨坩埚内部为宜，在 以在高温热处理工艺过程中容易玷污硅材料，这些 使用前先对其进行10h烧结，以保证氮化硅涂层 杂质能够在硅的禁带中引入深能级复合中心，会对 坚固不易脱落。 收稿日期：2012—03—25；修订日期：2012—03—27 基金项目：国家自然科学基金一云南省联合基金(U1137601)；教育部科学技术研究重点项目(212159) 作者简介：张聪(1984一)，男，汉族，河北辛集人，硕士在读；研究方向：硅冶