坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命影响.pdfVIP

第30卷专辑 中 国稀土学报 2012年8月 V01．30 RAREEARTHS Spec．Issue JOURNALOFCHINESESOCIETYOF Aug．2012 坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命的影响 张聪1’2，魏奎先1’2，马文会1’n，陈秀华3，张俊峰3 (1．昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室，云南昆明650093；2．云南省高校硅冶金与 硅材料工程研究中心，云南昆明650093；3．云南大学物理学与技术学院，云南昆明650091) 摘要：本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的 影响。结果表明：采用氮化硅涂层处理后，多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0．85 p．s提高到1．91螂；顶部和底部的少子寿 关键词：多晶硅；氮化硅涂层；少子寿命；位错密度 中图分类号：F407．3文献标识码：A 文章编号：1000-4343(2012)-