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GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析 　　摘要： 与正装LED相比，倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试，对其散热性能进行了分析。研究表明，焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素；而对于正装LED芯片由于工艺简单，减少了中间热沉，通过结构的优化，工艺的改进，完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。 　　关键词： 功率型LED；倒装焊结构；散热性能；热阻 　　1、引言 　　对于功率型LED，目前的电光能量转换效率约为15 ，即85 的能量将转化为热能。在GaN基功率型LED中，由于族氮化物的P型掺杂受限于Mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在P型区域中产生。如果热量集中在尺寸很小的芯片内，会使芯片温度升高，引起热应力分布不均、芯片发光效率和荧光粉转换效率下降。当温度超过一定值时，器件失效率呈指数规律升高。因此在芯片制作和封装设计方面要设法降低热阻，以保证功率型LED能高效且可靠地工作。本文在对各种功率型LED芯片的表面温度分布进行直接测试的基础上，分析了正装和倒装焊芯片结构LED的散热性能，以及制约因素和改进的途径。 　　2、 功率型LED芯片散热物理模型 　　2．1 芯片结构与基本参数 　　与传统的白炽灯相比，LED器件的温度一般低于200 ，其热辐射非常弱。同时由于封装结构和材料的因素，芯片侧表面和上表面的散热能力极差。因此，LED产生的热量绝大部分是通过热传导的方式传到芯片底部的热沉，再以热对流的方式耗散掉。表1给出了几种不同材料的热导率[1 ]。由表1可以看出，目前在功率型LED的制备中，技术最为成熟、用得最多的蓝宝石衬底的热导率只有35～46 W/(m ·K)，不足Si材料的1/4。 　　为了提高功率型LED器件的散热能力和出光效率，产生了倒装焊芯片(flip-chip)结构。图1分别给出了目前常用的正装与倒装焊功率型LED芯片结构的示意图。 　　倒装焊结构的特点在于以热导率较高的Si(或陶瓷)材料作为器件热传导的介质，通过倒装焊技术将LED芯片键合在Si衬底上。 　　与正装结构的LED相比，倒装焊芯片结构使器件产生的热量不必经由蓝宝石衬底，而是由焊接层传导至Si衬底，再经Si衬底和粘结材料传导至金属底座。由于Si材料的热导率较高，可有效降低器件的热阻，提高其散热能力。 　　2．2 功率型LED芯片散热模型 　　图2分别给出了正装与倒装焊结构LED芯片的热阻构成示意图。 　　图2 正装与倒装焊结构LED芯片热阻构成示意图 假定LED芯片结构中某材料层的热导率为五， 厚度为d，面积为S，在忽略材料层的边界效应时， 该材料层的热阻(单位为/W 或K/W)可表示 为 　　该定义假定了器件耗散功率产生的全部热流流经热阻。 　　(1)正装结构LED芯片热阻估算由于不同结构的芯片都有和金属底座的粘结材料层，在此我们只比较芯片的热阻，另外GaN外延层的热导率远高于蓝宝石，而其厚度与蓝宝石相比几乎可忽略不计。因此，正装芯片的热阻主要决定于蓝宝石层的热阻。 　　目前蓝宝石层典型厚度约为80 m。面积为1mm ，其热导率取46 W/(m ·K)，则其热阻约为1．74 K/W 。 　　 (2)倒装焊结构LED芯片热阻估算同样忽略P型GaN 及金属电极层的热阻。于是倒装焊结构LED芯片的热阻可表示为： 　　其中， 为芯片与Si衬底间焊接层的热阻，为Si衬底材料层的热阻。 　　假定芯片与Si衬底之间以使用较广的铅锡焊料焊接，其热导率取50 W/(m ·K)，焊接接触面积取0．5 mm (但目前多数flip—chip芯片与Si衬底之间的焊接接触面积要小于这一数值)，设焊接层厚度为20 m，则焊接层的热阻 约为0．8 K/W。 　　Si衬底的热导率取150 W/(m ·K)，假定其面积和厚度分别取1．4 mm×1．4 mm和160 m，则其热阻约为0．54 K/W。 　　因此理论上，对于倒装焊结构的LED，以目前的材料和工艺，其芯片热阻最低可做到约1．34 K/W 。由此可见，在散热方面，倒装焊芯片结构具有潜在的优势。 　　在实验中，所有器件都是我们自行封装的，但芯片的各项指标都与上述假定有偏差，倒装焊芯片中焊接层面积各不相同，参见图3(图中尺寸单位为mm)。芯片和金属底板所用粘结材料的热导率也只有约2．5 W/(m ·K)，根据芯片的物理尺寸可估算得到芯片中各层的热阻，以及热源PN结到金属底座的热阻 的理论计算值，如表2所示 　　3、测试结果与讨论 　　实验中先对各种LED芯片的光辐射功率进行测试，对比输入的电功率P，就可求出芯片热耗散功率。然后在热平衡状态下