CCD多路开关组件的研制.pdfVIP

维普资讯 ／ ) CCD多路开关组件的研制 l 幽 明 ／ ／ ^／ 重(废光电技术研究所) fV：．)r· l br 摘要 采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功160路CCD多路 开关组件，器件动态范围≥50dB．转移效率≥99．99％；非均匀性±5％；最小输入信号 5mV；最大输入信号2V；输入积幂时间134,／s；串行移出时间 (每个像素)2bts；输出幅 度≥2V。文章阐述该器件的结构、I作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件性 能的因素和专项L艺研究。 关键词 CCDI~路开关组件、多晶硅、交迭栅、埋沟结构、转移致率、动态范围 —’』一 ～ 一 ． 1．引言 。 鸯 自1970年美国贝尔实验室研制出第一只CCD以来…’[．由于得益于超大规模集成 电路微细加工技术水平的不断提高，CCD得到了迅速发展。随着CCD的研制与开发应 、 用，CCD不但用于模拟信号处理领域，而且还能作为红外焦平面阵列 (IRFPA)的红外 信号处理器件_3j。因此可见，CCD的出现．给IRFPA的发展带来了新的前景。在IRFPA 的研制中均采用硅CCD[·(如：表面沟道CCD、埋沟ccD、埋沟型曲沟CCD、CCD存储 器等)多路传输器作为红外信号处理器件．可增加焦平面上探测器单元效，提高组装密 度．增加信号处理功能，使研制百万象素的红外探测器焦平面阵列成为可能。 硅CCD多路开关组件与多抽头CCD多路传输器相似，该器件是在线阵CCD的基础 上发展起来的，是随着混合式红外焦平面阵列 (HIRFPA)的发展而发展起来的一类专用 ’ 红外信号处理器件。并具有红外信号存贮和背景撇除功能，可以懈决红外成像系统均匀高 背景的抑制问题 2．器件结构和工作原理 2．1 器件结构及特点 硅CCD多路开关组件作为碲镉汞 (HgCdTe)混合式红外焦平面阵列 (HgCdTe— HIRFPA)的红外信号处理器件。该组件芯片由两部分组成：即三层多晶硅交迭栅三相埋 沟CCD移位寄存器和多路信号输入部分 (即抽头部分)．其结构如图l所示。图中，Nl， N2…… 0为输入部分的输X-极管，V∞，V 为背景抑制电路；孛P为积分栅；}r6为转 移栅；lG为输入栅；v(为输出栅；Via)为复位管漏；VR． 为复位管栅；VDs、Vs为输 出跟随器的源和漏；ID、IG为供检测移位寄存器而设计的； 、屯、 为移位寄存器的 时钟脉冲相。 该组件的三层多晶硅交迭栅三相埋沟CCD结构由输入部分的输入二极管 (ID)，背景 抑制电路 (V 、VbsG)、积分栅 (}[))、输入栅 ( )、转移栅 G、移位寄存器控制时钟 (、屯、 )输}b栅 (Vc)、复位管漏 (Vm)、复位管栅 (V )、输出源跟随器 · 10 - ． 维普资讯 T岛 牵P 々工日 N确 “ 圉 1 CCD多路开关组件结构简囡 (VDs、 )等组成。具有设计结构合理、性能稳定可靠、均匀性好、输出幅度太、频带 宽等特点。背景抑制电路有效地解决了红外成象系统中背景幅射强的问题。器件的研制成 功将在红外热成像领域得到很好的应用。 2．2 工作原理及用造 硅CCD多路开关组件是混合式红外焦