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SiGeSiHBT高频噪声特性研究.pdf
第 36 卷第 1 期 微 电 子 学 Vol36 , №1
2006 年 2 月 Micr oelect r onics Feb2006
Si Ge/ Si HBT 高频噪声特性研究
1 1 1 2 2 2 2 2 2
张万荣 , 邱建军 , 金冬月 , 张 静 , 张正元 , 刘道广 ,王健安 , 徐学良 , 陈光炳
( 1. 北京工业大学 电子信息与控制工程学院 ,北京 100022 ; 2 . 模拟集成电路国家重点实验室 , 重庆 400060)
摘 要 : 基于器件 Y 参数 ,对 Si/ Si1 - x Gex HB T 的高频噪声进行了模拟 。Si/ Si1 - x Gex HB T 的高
频最小噪声系数随 Ge 组份 x 的增加而减小 。与 Si BJ T 相比, Si/ Si Ge HB T 具有优异的高频噪声
特性 。
关键词 : Si Ge ; 异质结晶体管 ; 高频噪声
中图分类号 : TN 322 + . 8 文献标识码 : A 文章编号 (2006) 0 1002703
HighFrequency Noise Characteristics of Si/ Si Ge HBT’s
ZHAN G Wanrong1 , Q IU J ianj un1 , J IN Dongyue1 , ZHAN G J in g2 , ZHAN G Zhengyuan2 ,
L IU Daoguang2 , WAN G J ianan2 , XU Xueliang2 , C H EN Guan gbin g2
( 1. S chool of E lect ronic I nf orm at ion an d Cont rol Eng i neeri ng , B eij i ng Uni vers ity of Technology , B eij i ng , 100022 , P. R . Chi na;
)
2 . N at ional L aboratory of A nalog I nteg rate d Ci rcui ts , Chong qi ng , 400060 , P. R . Chi na
Abstract : Based on Y p aramet er s of device , highf requency noi se charact eri stics of Si/ Si1 - x Gex HB T ’s i s simula
t ed . A s t he Ge f raction increases , t he highfrequency minimum noi se figure of Si/ Si1 - x Gex HB T decreases. The re
sult s show t hat Si/ Si Ge HB Ts have excellent highf requency noi se charact eri stics , comp ared wit h Si BJ T.
Key words : Si Ge ; HB T ; Highf requency noi se
EEACC : 2560J
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