调制及电光调制.ppt

为实现线性调制，可引入固定的π/2相位延迟，使调制器 的电压偏置在T=50%的工作点上（B点） 电光调制的基本原理及公式推导-强度调制 改变工作点的常用方法 1 在调制晶体上除了施加信号电压之外，再附加一个半波电压，但此法增加了电路的复杂性，而且工作点的稳定性也差。 2 在调制器的光路上插入一个1/4波片，使其快慢轴与晶体主轴x成45角，从而使 Ex’和Ey’二分量间产生π/2的固定相位差。 电光调制的基本原理及公式推导-强度调制 插入一个1/4波片情况的分析： 设调制电压为正弦信号  总相位差为 其中 电光调制器的透过率为 利用贝塞尔函数将 函数展开，可以知道输出的调谐光中含有高次谐波部分，使调制光发生畸变 电光调制的基本原理及公式推导-强度调制 解决畸变方法：将高次谐波的光强控制在允许的范围内，实现线性调制，这要求调制电压Vm不能太大。 实现线性调制的判据为 此时的透过率为 输出的强度调制波是调制信号的线性复现 电光调制的基本原理及公式推导-强度调制 电光调制的基本原理及公式推导-相位调制 工作原理： 电光相位调制器由起偏器和电光晶体组成 起偏器的偏振方向平行于晶体的感应主轴（ ），此时入射晶体的线偏振光不再分解成沿x’和y’ 两个分量，而是沿着x’或y’轴 一个方向偏振，外电场不改变出射光的偏振态，仅改变相位。 电光调制的基本原理及公式推导-相位调制 光波只沿 ｘ′方向偏振，相应的折射率为 若外加电场是 晶体入射面（ｚ＝０）处的光场 则输出光场（ｚ＝Ｌ处）就变为 略去式中相角的常数项，上式写成 相位调制系数 渡越时间： 激光通过长度为L的晶体所需时间。 对电光调制器来说，总是希望获得高的调制效率及满足要求的调制带宽。 前面对电光调制的分析，均认为调制信号频率远远低于光波频率(也就是调制信号波长远远大于光波波长)，并且波长远大于晶体的长度L，因而在光波通过晶体L的渡越时间 内，调制信号电场在晶体各处的分布是均匀的，则光波在各部位所获得的相位延迟也都相同，即光波在任一时刻不会受到不同强度或反向的调制电场的作用。在这种情况下，装有电极的调制晶体可以等效为一个电容．即可以看成是电路中的一个集总元件，通常称为集总参量调制器。集总参量调制器的颇率特性主要受外电路参数的影响。 3.2.4 电光调制器的电学性能 调制带宽：调制信号占据的频带的宽度。 调制信号频率高时大部分电压降在电源内阻上，致使晶体无法工作。若要调制信号在较高频状况下工作时（实现阻抗匹配必须在晶体两端并联一电感和分流电阻）其频带宽度就要受到约束： Vi V 当调制频率与谐振频率相同时电压全降在晶体上。 一个高质量的电光调制器主要应满足以下几个方面的要求： (1). 调制器应有足够宽的调制带宽，以满足高效率无畸变地传输 信息。 (2).调制器消耗的电功率小。 (3).调制特性曲线的线性范围大。 (4).工作稳定性好。 3.2.5 设计电光调制器应考虑的问题 现以KDP类电光调制器为例来说明如何选择参数。 电光晶体材料的选择 调制晶体材料对调制效果起着关键的作用，所以在选择晶体材料时，应着重考虑以几个方面的因素： A. 首先是光学性能好,对调制光波透明度高,吸收和散射损耗小并且晶体的折射率均匀,其折射率的变化应满足△n＜10-4／cm； B. 其次是电光系数要大，因为调制器的半波电压及所耗功率分别与γ63 和γ632 成反比。 C. 此外，调制晶体还要有较好的物理化学性能(主要指硬度、光破坏与制、阈值、温度影响和潮解等)。表1.2-2给出了一些常用的电光晶体材料。 常用电光晶体材料及其物理性能 2．降低调制器功率损耗的方法 由于KDP类电光晶体的半波电压较高,为了降低其功率损耗，可采用n级晶体串联的方式(即光路上串联、电路上并联)。图1.2-23表示一个4块KD*P晶体串联的纵向调制晶体，把相同极性的电极联接在一起，为使四块晶体对入射的偏振光的两个分量的相位延迟 皆有相同的符号，则把晶体的x和y轴逐块旋转90°安置(例如第二