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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会论文集 2012年12月
应变LDMOS器件的特性研究
郑良晨，王微，曾庆平，王凯，刘斌，甘程
f电子科技大学四川成都610054)
器件的不同器件区域来研究漂移区中引入应力对器件击穿电压的影响。仿真结果表明覆盖有应力的SiN膜的器件的跨导、驱动
能力均有提高，同时不会因为施加应力使带隙减小而带来击穿问题。相比传统的LDMOS器件，SiN覆盖整个器件的LDMOS
的饱和电流提升45％，迁移率因子为1．173，击穿电压几乎不变。
饱和电流。
关键词应变硅；LDMOS；SiN薄膜；应力：
386．1 文献标识码A
中图分类号TN
ThecharacteristicresearchofthestrainedLDMoS
ZHENG Wei，ZENG Kai，LIUBin，GANCheng
Liangchen，WANGQingping，WANG
and ofChina
ofElectronicScience
(University TechnologyChengdu，Sichuang610054)
in LDMOSits withthe
AbstractInthis theeffectof stressthe Oil performance
Paper，westudy introducing
drift
ofthebreakdowncausedthestressinthe
2-Dsimulator．Inorderto theinfluence voltage by region，
study
indicatethattheLDMOSwith has
areasarecoveredwith simula：tionresults Si3N4
different Si3N4．The great
due
thetransconductanceandthe wouldnotreducethebreakdown
on gm drivingability，and voltage
improvement
LDMOSwim
thebandcausedthe withtheconvenfionalLDMOS．the
tothedecreaseof gap by stress．Compared
the is
a11coveredexhibited inthesaturation stressinfluencefactorof mobility
Si3N4 45％improvement curr
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