T1系和Hg系超导薄膜之间的转变.pdfVIP

第五届全盈超导薄膜和超导电子器件学术会议论文集 -11系与Hg系超导薄膜之间的转变 阉少林方兰路荣涛何明事文俊 (南开大学电子科学系，天津300071) JudyWu 66045 ofK∞sas，Lawrence．KS DeparnnentofPhysics，Univers-ity I摘要】=本文介绍了阳离子置换法制作Hg系高沮超导薄膜的方法．用高质量们系外延超导薄囊作 先驱摸，在Hg气氛中热处理后，可转变为Hg系外廷超导薄膜．制作的Hg-1212薄膜．L一般在 120K左右。100K置度下的临界电流密度可远到1．5x106AJcm2．这种阳离子置挟具有可逆性，在适 当的泰件下．Hg系超导薄膜也可以转变为11系超导薄膜． 一、引言 由于Hg系超导材料具有根高的超导转变温度．高质量的Hg系超导薄膜对于电子 技术应用具有重要的意义．我们最近发明了一种阳离子置换法”。’，用11系外廷超导 薄膜作为先驱膜．在H瘩气氛下进行热处理，使Hg替代薄膜中的11，形成Hg系外延 超导薄膜．在取代过程中，11系薄膜的晶体结构并不发生变化，只将TI-O层替换为 Hg-O层．这种活跃的阳离子可替换性，也可以用于相反的过程。在11气氛中，将Hg 系超导薄膜进行热处理．T1可以取代薄膜中的Hg，转变成11系超导薄膜。本文报导 11系与Hg系超导薄膜转变的一些试验结果。 二、实验 11系高温超导薄膜是采用直流磁控离子溅射和后热处理工艺制作的p】。溅射靶采 薄膜为非晶膜．经过高温热处理可生成外延超导薄膜，此方法也称为树底诱导非晶外 延成相技术．由于11的高温易挥发性。热处理时，用含11的TI-Ba．Ca-Cu-O块材与 非晶薄膜一起密封在坩埚内，以保证11的平衡。 11系超导薄膜在H奢气氛下经过高温热处理，薄膜中的n可以逐渐被Hg所置换． 转变为H毫系超导薄膜。热处理时．将11系超导薄膜与Hg-Ba-Ca．cIl旬块材一起密封 在石英管中．Hg-Ba-Ca-Cu*O块材主要是在高温下起到提供和平衡汞蒸汽压的作用。 热处理温度为700-800℃．时间为lO分钟一12小时。 将Hg系超导薄膜与11．Ba-Ca-Cu．O块材一起放入坩埚内进行热处理，可以将Hg 系超导薄膜转变成11系超导薄膜，与制备11系超导薄膜时的热处理工艺相同pl。 薄膜的结构主要是通过X．光衍射0．20和币扫描来判断。超导转变温度是采用低温 SQUID磁强计测量薄膜的磁化率转变。临界电流的测量采用了电测量和磁测量两种方 法．电测量采用的是典型的直流四电极测量法。测量前先将薄膜光刻成10微米宽100 徽米长的带状线，在不同温度下测量带状线两端的电压随电流的变化。取1微伏电压 ’本文于2000年6月17日收到。 阎少林：砷系与Hg系超导薄膜之间的转变 时对应的电流为临界电流值。磁测量是用SQUID磁强计在不同温度下分别测量出薄 膜磁矩随外加磁场变化的磁滞回线，使用Bean模型计算出薄膜的临界电流密度。外 加磁场与薄膜的膜面垂直，计算时使用的是薄膜的整个面积。 三、结果与讨论 为了明确显示出11系薄膜 向Hg系薄膜的转变，图一给出 了典型的(a)Tl-2212先驱薄膜和 一 Co)Hg-1212薄膜的X光0-20衍射 三 图样。从图--(a)中可以看出周期i 雪 性的衍射峰都属于11-2212(001) 峰，表明先驱薄膜具有很纯的 叠 2212超导相，而且C．轴垂直于膜 面．同样从图一(b)中可以看出由 11—2212先驱薄膜转变的 Hg-1212膜具有很纯的1212超导 18 间少林：T1系与Hg系超导薄腌之问的转变 T(K) u w气乎’ 1∞ l¨ ●_