UHV%2fCVD方法N型掺杂Si外延数学模拟的研究.pdfVIP

2600年10月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 唧／cvD方法N型掺杂si外延数学模拟研究 蒋良俊叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室310027) }嘏硅外延掺杂剂的掺人，输人分压是影响掺杂浓度的最重要的因素。在唧／CvD方法 进行硅外延掺杂实验中．掺杂剂气体分解为若干种气体，这些气体的气体分压可以通过热 力学进行计算。本文通过建立掺杂浓度与气体分压的数学模型，得到掺杂浓度与气体分压、 生长温度的关系．掺杂剂掺人硅中的掺杂效率也同时得到，为定性了解掺杂剂的掺人情况 提供了依据。 关键词唧／CCDN型掺杂 数学模型 1．引言 为了使半导体器件得到所需求的电参数，用P型或N型杂质对硅进行外延掺杂是必要 的。这些器件的运行效果取决于掺杂剂浓度的准确控制和掺杂剂浓度沿该外延层的纵向分 布；通常，PH3教用于N型掺杂。 硅外延掺杂剂的掺人，受含掺杂剂气体的输入分压、生长温度和生长速率的影响．其 中，输人分压是最重要的因素。通常，外延层的掺杂浓度随输人分压线形增加。可是在高 的输入压力下，外延层的掺杂浓度却不随压力的增加而线形增加。“’ PH3常用于N型掺杂，其掺杂浓度与分压有如下的关系： (1) 低输入压强下 ％=％，+‰： 【P】掺^的=磷， … 01’ (2)高输人压强下 踹，=2最 【P】善^的=(磷，)。72 (2) 两种条件下，系统主要发生如下反应．它们的反应平衡常数方程也同时给出： SiH4(g)=Si(s)+2H2(g) 足—2磁，‰． (3) 2PH3(g)=2PH2(91+Hz(g) KpH，=嚆：，气 (4) 2PH2(g)=P2(g)+2Hz(g) gPr．。：=p。2：B：，碥。 为了去解上述方程所包含的四个气体分压，还需要一个附加方程。用UHv，CVD_蠢法 外延 ； (6) 晶：+‰．+踹，=生长压力 。 掺杂，生长压力等于各种气体组成的分压之和，即有： 方程(3)一(4)的反应平衡常数可通过吉布斯自由能计算出来(见图1) 1(7) AG=A，日卜△，s：=∑1’。△，日：一∑v口碟=RTInK． △，日： s! 可以在文献中查到。t2) 另外，掺杂剂掺人硅中的掺杂效率，由分凝系数Keff确定，分凝系数定义为硅中的掺 t之比。 杂浓度除以掺杂剂的气体分压P·Ⅻ与含硅气体分压P r一!堡查鎏鏖k坐兰!!兰! (8)， ～一——面了r 分凝系数解释为．在Keff1时，部分掺杂剂原子在掺人外延层的过程中被排斥。从 而在生长表面积累了多余的掺杂剂原子。当Keff1时，接杂剂愿予全部拣A硅孛。 3结果与讨论 。∞ 。 +、 ， ；}i㈡：{。 i．j：： 一．ij 分压的关系。有关实验表明-．聃