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128×128InSb焦平面探测器背减薄技术 曹凌霞 邱宏 董硕 摘要：背减薄技术是InSb红外焦平面探测器的关键技术之一．本文着重介绍了探测器背减薄 技术的研究。重点分析了研磨、抛光以及精抛对器件性能的影响．目前已较好的掌握了减薄至20斗 m的磨抛技术． 关键词： 背减薄 精抛 I．前言 InSb焦平面探测器采用混成式结构．利用InSb材料制作的光伏二极管阵列将红外光信号转化成电 信号，用si材料制作的信号处理电路进行电荷的收集处理转移．因此焦平面器件的最终性能和InSb 探测器芯片性能Si读出电路性能以及铟柱互连工艺、背减薄工艺等密切相关。我们通过对芯片厚度 的控制与分析，提高了探测器的性能．解决了128x128元焦平面探测器研制中的一个关键技术问题。 2．背减薄技术 2．1对减薄的要求 霄葛 在混合式焦平面探测器的结构中，经In 柱倒装焊互连的焦平面探测器，只能采用光照 I sj凌出屯踌芯片 的方式收集光能量，即光子照在InSb的n型 衬底上产生光生电荷。这些光生电荷通过扩散 田一l嚣×I嚣元焦平面捉测霉结构示意圈 作用穿过衬底到达正面的PN结。 我们知道在一定的波长上，背景限制的光伏型探测器的D}理论最大值是： D·。：上一 he 式中c一光速： h—普朗克常数；n一量子效率；％一背景的光子通量；^—辐射光波长。 从上式可以看出要提高探测器的D}就必须提高器件的量子效率。量子效率的表达式为： 1一r = n co出(寺)+Ⅲ 等 式中r一表面的反射率；s一表面的复合速率；L厂空穴扩散长度；d-结的深度(N型层的厚度)； t一少数载流子寿命。 从式中可以看出为了得到最大的量子效率，应该尽量减少表面的反射率，非常低的表面复合 速率(即s’，／Lp1)和N型层厚度小于扩散长度dL巾。因此对背减薄工艺来说．探测器应该是 表面光洁的、镜面的，没有表面损伤层．InSb衬底厚度要远小于少子扩散长度。在考虑到设备精度 um范围内，这样可以最大限度的提高器件的量 以及查阅相关质料后，我们把芯片厚度设定在15—20 ——————了r———————————一一一 ‘效率。 2样片的研磨： 样片表面损伤层对量子效率有很大影响，因此必须严格控制减薄工艺。由于InSb芯片与si电 路之间是In柱连接支撑的，芯片在一定厚度时易裂、易碎；当芯片更薄时．探测器靠外侧的ln柱 由于应力作用出现变形、断裂等现象。 研磨在背减薄过程中是承前启后的关键。通过不同工序以及磨料的实验对比，选中了适合128 ×128焦平面探测器工艺要求的磨料和工艺，同时确定了适当的预留厚度．为抛光工艺提供了良好 的基础。抛光和精抛是除去上道工艺表面损伤层的两个重要的工艺过程。因此我们通过双晶衍射对 抛光和精抛过程对表面的损伤层的影响进行了分析。 2．3抛光分析实验： 128×128焦平面探测器的抛光工艺中．我们采用的是机械化学结合的抛光方法，它兼有机械 抛光和化学抛光两种方法的优点，通过调整抛光液的配比以及进料速度和磨头压力一解决了抛光后 出现桔皮、白雾等问题，找到了最适合的抛光工序．从而较好地满足芯片表面质量和厚度的要求。 我们首先选用了七种不同抛光时间的样品，对其表面进行了X射线双晶衍射分析．实验结果如下表 昕示： _裹一：抛光时同与羊蜂觅关泰 由表一我们可以看出在抛光过程中，随着时间增加，抛光能除去芯片表面的损伤层·但一定 128焦平面探测器的性能要求， 时间后表面损伤层就没有太大的变化。通过以上分析，并根据128X 我们确定了适合的抛光条件。 2．4精抛分析实验： 当12