激光频率分裂技术在精密测量应用中的新进展.pdfVIP

激光频率分裂技术在精密测量应用中的新进展+ 张书练李岩 (清华大学糖密计量技术及便磊耳索重点实验童清华大学糖仪系北烹100％4) 抽l：奉文综述了我们在擞光囊率分囊技术中的剖新性进晨，包括应力双折射双囊徽 光嚣的研究．3—40MHz疆差的产生原理，取折射双囊激光嚣O光、e光功率■谐特性的实t 曩鬟以及位移自传薅澈光嚣的焉理和实现。 1 序 ● 羲们对蠢光频率分裂的研究的最初目的是为了得到大频率差的双频激光器，l：l提高双囊激光干涉 仪的测量速度。 众所周知，国内外的双额激光干涉仪都是使用塞曼赣光器作为光源。加横向磁场的HeNe激 光蕾叫■商骞曼激光器，加纵向磁场的HeNe激光管叫纵向塞曼激光器。塞曼双频激光鬻是基于 t蠕产生Ne原子光谱线的分裂和模牵引效应而工作的。以纵向塞曼激光器为倒。在纵向磁场的 作用下。激光介质Ne原子的光谱线出现分裂，发射左旋光和右旋光。如果礁蛹强度为300臭斯 特．左、右旋光的中心壤率之差约为1100MI-Iz。设一个脏模(频事为”)位于这两个中心募事之问。 由于激光介质的反常色散，一个几何上唯一的谐振腔长变成物理长度不相等的两个谐振腔长：左 旋光的谐振腔短于原来的腔长．频率变大；而右旋光的谐振腔长于原来的腔长，撅率变小，印两种 谐振腔长之差引人颇事差。这个频率差正t『-一可表为 山i一=3．5口i删田f (1) 式中，l吒1约为2910～，Ⅱq模牵引系数，日代表所加磁场的大小(奥斯特)。 换言之，郾一个由激光器空腔谐振条件决定的纵模同时被磁场所形成的左旋、右旋光增益线 中心频率向相反的方向。牵引”而形成双额。 从式(1)可知，磁场越强，所获得的频率差△‰．越大。但量大频率差受到物理限制：当磁场 增强，左麓光和右旋光的增益线的距离越来越大以至于不再相交时，一个腔模不能同时藩在焉增 益线内，模牵引也就不存在了．双额也就不可能产生。尽管做了不懈努力，现在纵向塞蔓蠹兜器 的鞭差仍然不能超过3Mltz。众所周知，双囊激光干涉仪测量工件的速度越高，所需激光器额差越 大。由于塞蔓双频激光器额事差小，美国意普公司销往垒世界的双频激光干涉仪测量速度仅为 700mm／$．而我们国内生产的干涉仪测速仅300mm／$，已无法再大。为了解凑这一问题，我们先研 究了用腔内晶体石英片或电光晶体产生澈光频率分裂的实验。在驻波氨氖激光器(譬)内部置人 晶件石英或光电元件，利用自然双折射效应、光电双折射效应均实现将激光频率一个分为两个，且 两鞭差之差可由转角、电压的改变加以控制““““03。由于有了上述的几种改变激光频率差的方 法，才有可能在各种额事差条件下特别是在小频率间隔时研究驻波激光器的闭锁效应(即强模竞 争)，发现了驻波氯氖激光器的强模竞争区(即颇差闭锁区)是h0MHz上下。比行波激光(环形激 ’蕾采自嚣并学基金壹助项目 一聃一 光)大几十倍“1。之后，研制成了腔内晶体石英调谐双折射双频激光器”1。发现了相距70MHz的 两频率在腔长调谐中增益线中心及边缘频差改变150KHz。相当于腔长改变1纳米，频差改变 1KHz。用囊串分裂技术测量振动的方法，已可测量从敷赫兹到几百赫兹的振动并达到12纳米分 辨率。 睫着研究的探^，有更多的科学技术问题浮现出来．应用前景也更明显。本文综述了在量近 几年内，在以下几方面取得了进展。 第一个方面是关于频率差控制。我们的理论分析和实验都证明了，厚2．6mm，晶轴和通光面 法线平行的最体石英在激光谐振腔内旋转，晶轴和激光束的夹角从lo恐’到6O’之问，菝率分裂从 嚣的翻造过程中，使晶体石英片和激光器毛细臂轴线之间固定精度达到l’之内是比较困难的。 也就是说，耍想把双囊激光器频率差的大小控制在1．3MHz之内是一件困难的工作。为了解决这 一问爱，我们采用了在腔内引人应力双折射元件的方法，由施加在此元件上的力控制频率差。我 们将在第二部分介绍t一工作。 第二个方面量实理了3—40MI-Iz壤差的双藏激光运转。如前所述Zee