TMAH单晶硅腐蚀特性研究.pdfVIP

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TMAH单晶硅腐蚀特性研究.pdf

!!# 器件与技术 !!# $%’(% ) *%(+,-.-/0 !#$ 单晶硅腐蚀特性研究 ’ ! 邓俊泳 ,冯勇建 (厦门大学机电工程系,福建 厦门 ; ’2 #3’4 !2厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建 厦门 #3’4 ) 摘要:0(1/ 是一种具有优良的腐蚀性能的各向异性腐蚀剂,选择性好,无毒且不污染环境,最 重要的是0(1/ 与,(.* 工艺相兼容,符合*., 的发展趋势。0(1/ 正逐渐替代 -./ 和其他 腐蚀液,成为实现()(* 工艺中微三维结构的主要腐蚀剂。本文着重介绍了0(1/ 的特性、工 艺条件及应用。 关键词:四甲基氢氧化氨;各向异性腐蚀;微机电系统 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) 05%4 1 ’36 ’7%663 !# ’!7#!7# !#$%’ () *+,-,*-%’%* (. /012 *+ ’ ! 8)59 :;7=? ,@)59 A?7BCD ( , , , ; ’!#$ %’(#)’ *+ ,#-.%)/-%0 1 20#-’*)/- 2)3/)##/)3 4 /%(#) 5)/6#7 /’8 4 /%(#) #3’4 9./)% !!:#) ;)3 =%. ,2,= #7#%-. 9#)’# *+ 4 /%(#) 5)/6#7 /’8 ,4 /%(#) #3’4 ,9./)% ) 13’-,* :EF=CGCHI JD KILCLM NC?N MIGOIKDM;KI DH IMJNC? ,DH NDL IPJIFFIM OKOIKMCIL Q C7 L;FDMC DH JNIGCJDF LMDRCFCSDMC ,CM T;FH RI DOOFCIH TCHIF= C ()(* OKJILL ,ILOIJCDFF= RIQCM M RI ;LIH DL LDJKCQCJC? FD=IK ,CL;FDMC? FD=IK ,LGMN FD=IK ,IMJ2 UDLIH MNI LCGOFI CMK7 H;JMC Q OF=CGCHI ,MNI JNDKDJMIKCLMCJ ,OKJILL QFT DH DOOFCJDMCL C ()(* TCFF RI CMK7 H;JIH IGONDMCJDFF=2 45 6(-$’ :0(1/ ;DCLMKOCJ IMJNC? ;()(* 异性腐蚀是()(* 中的一个极其重要的工艺,是 ’ 引 言 指在特定的腐蚀液中,硅在某些晶向上的腐蚀速 ()(* 是一个多学科、多领域交叉的新兴学 率很大;相比之下,其他晶向则要缓慢得多,甚 科,主要研究传感器、执行机构及微小机械结构。 至可以认为不腐蚀。根据这种特性,选择适当的 其工艺由 工艺发展而来,主要包括清洗、氧化、 工艺流程,可以加工出所需的各种各样的微结构。 +, 扩散、光刻、腐蚀、气相沉积、封装等。与+, 工 目前最常用的各向异性腐蚀剂是 -./

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