双矩形型FeTaN薄膜电感器的制造.pdfVIP

双矩形型FeTaN薄膜电感器的制造+ 提要 一种采用FcTaN薄膜的双矩形螺旋电巷器业已制成．该电感嚣由磁性层作间隔的内部 线嘲组成．本文{；l磁性薄膜的平面化为重点探讨龟蓐嚣功能的特性．薄膜投有经平面化加工 的情况下，覆盖在线圈阵上层的磁膜橱格拓扑结构降低了戟磁性能和电寤器功能．它也引起 J叫J戳通方向容易地棒列成轴线的单一磁向．这种榫列保护着有助于总癖应的上层磁膜。玻 璃联结足获得完全的平面电感嚣结构的可行方法．用玻璃联结的平面电尊嚣显示着良好的性 能：lIuH的电感量．在5MHz时品质因数Q为7．直流电流容量达到100mA。 1 引 言 平面璀薄膜电感器对在小型化DC-DC转换器中应用是有潜力的。在那些大电流应用 中，为获得一种可接受的电感器性能，具有高饱和磁化性瞻(4riMs)的软磁材料是必需要 的¨l。我们提出了采用具有4xMs至20KG磁化强度、类似于软磁材料的Fenat砜，N”7 薄膜制作的薄膜电感器科。在制作中，我们使用了上层的磁性层没有任何平面化加工的磁 性层为间隔的内部线圈结构．我扪发现因上层的磁性层增加的电感量远小于来自理论计 算的魍望值．我们证明了上层的磁性薄膜的波动拓扑结构降低了软磁性能．对电感量增 大引起的影响是次要的。在此工作中，我们研究了磁性薄膜的