行业标准《硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法》.docVIP

行业标准《硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法》 编制说明 一、任务来源 硅外延用三氯氢硅（TCS）是电子工业用的新型硅源气体，是广泛用于生产多晶硅和半导体器件的关键原料。硅外延用三氯氢硅中微量的杂质元素会对硅外延片的电学性能产生严重影响。C、防止有机物质的干扰。样品应尽量避免和有机物质接触。仪器内也尽量避免引入有机物质。 2014年5月份于苏州召开的半导体材料标准工作会议上，对《硅外延用三氯氢硅中总碳含量的测定-气相色谱法》（送审讨论稿）进行了讨论，标准讨论会上，与会专家对标准进行了认真的讨论，提出了以下建议： 1、标准文本内7.2和7.3所描述的关于样品重复进样，两次结果间得偏差范围的内容与重复性限部分的内容相重复，故将测量值偏差小于10%去掉。 2、标准文本内9.2允许差范围分段要再细一些。 我们针对与会专家提出的建议进行了认真的分析，采纳相关建议，对标准内容进一步完善。 三、主要技术内容的说明 本标准方法的准确性首先取决于样品中含碳成分能否充分转化为甲烷，其次是仪器的检出能力能否达到要求。我们所做工作如下： 1）有机氯硅烷的转化率的确认。通过查找相关文献，了解到三氯氢硅生产工艺过程中可能产生的含碳物质包括甲基二氯硅烷，甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷等。我们实验了上述几种氯硅烷以及乙醇和丙酮等有机物在转化炉内的转化率，各有机物的转化率在80%-100%之间，表明有机氯