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MOSFET 测试报告 FSXXXX-X(A、B…) Basic Information Category Package (产品分类) (封装类型) PN Operator (产品型号) (测试人) Marking SN (打印) (样品编号) Compare Sample Test Date (对比样品) (测试日期) Test Equipment Demo board And Fixture (测试设备) (治具) Reference (竞争对手DATASHEET ,本公司 DATASHEET ,本公司测试模板) (测试参照) Test purpose:(例如:对比测试,验证参数、、、、、、) Pin Configurations Block Diagram Test Circuit( 以下仅为推荐测试方法,根据具体情况可做相应的改动) 1、漏源击穿电压 1.1 测试电路 A 1K D DC V G S 1.2 测试程序 按上图连接好电路,调节直流电源至电流表读数为 ID 规定值时为止,电压表读数即为源极和漏极间 的崩溃电压。 2、 门限阈值电压 2.1 测试电路 A D DC G S V 20K 2.2 测试程序 按上图连接好电路,调节直流电源 DC 至电流表读数为 ID 规定值时为止,读出电压表读数,即为栅 极开启电压。 3 、漏源漏电流 3.1 测试电路 V 100K D DC G S 3.2 测试程序 按上图连接好电路,调节直流电源 DC 至 VDS 规定值,读出电压表数值,根据欧姆定律 I=U/R 可计 算出漏极电流(由于所测电流为 nA 级,电流表精度不够,所以采用公式计算的方式测试) 4、栅源漏电流 4.1 测试电路 D V 100K G S DC 4.2 测试程序 按上图连接好电路,调节直流电源 DC 至 VGS 规定值,读出电压表数值,根据欧姆定律 I=U/R 可计 算出栅极与源极间正向漏电流(由于所测电流为 nA 级,电流表精度不够,所以采用公式计算的方式 测试)。 5、 导通电阻 5.1 测试电路(为了便于测试调试,建议选择电阻约为所测 R ( )十倍) DS ON 5.2 测试程序 按上图连接好电路,调节信号发生器至 VGS 规定值(使用脉冲波), 调节直流电源 DC 使通过电流探头 的电流为ID 规定值,

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