基于漏电流测量的集成电路老化预测方法.pdfVIP

基于漏电流测量的集成电路老化预测方法 1 1 2 1 邱吉冰 韩银和 靳松 李晓维 1 （中国科学院计算技术研究所 北京 100080 ） 1 （计算机体系结构国家重点实验室 北京 100080 ） 1 （中国科学院大学 北京 100049 ） (华北电力大学 保定 102206 ) 2 摘 要 NBTI 已成为纳米集成电路生命周期内可靠性的一个主要威胁，为防止集成电路由NBTI 引起的电路失效，集成电 路老化程度的在线预测得到广泛研究。然而不断增加的参数偏差、设计复杂度、及面积开销导致基于延迟变化的老化预测方 法越来越难以实施。本文提出一种将关键路径漏电流变化量从全芯片漏电流测量结果中分离的方法，并将该方法应用于NBTI 引起的电路老化预测。在施加一组测量向量的前提下，芯片级的漏电流变化首先构成一个方程组，通过解方程组可以得到关 键路径上门电路的漏电流变化量；然后通过将门电路漏电流变化和延迟变化的对应关系，可得到任意关键路径的延迟变化； 最后通过关键路径延迟变化来预测电路老化。使用片外传感器的漏电流变化测量方案对噪声不敏感，在增加测量时间的代价 下可有效消除工艺偏差对预测精度的影响，实验结果表明该方法可用来预测NBTI 引起的电路老化。 关键词 NBTI ，漏电流，老化，工艺偏差 中图法分类号 TN386.1 文献标识码 A IC Aging Predicting using Leakage Current Measuring Qiu Jibing Han Yinhe Jin Song Li Xiaowei (Institute of Computing Technology, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China) (National Key Laboratory of Computer System and Architecture, Beijing 100080, China) (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) (North China Electric Power University, Baoding, Hebei, 102206, China) Abstract Negative bias temperature instability(NBTI) has become a serious concern for the lifetime reliability of integrated circuits. On-line aging prediction is a promising way to prevent NBTI-induced circuit failure. However, the ever-increasing parameter variations, design complexity and area overhead degrade the ef