35 V47 μF固体钽电容器制备工艺的改进.pdfVIP

  • 18
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 4页
  • 2017-08-12 发布于北京
  • 举报

35 V47 μF固体钽电容器制备工艺的改进.pdf

维普资讯 电子 工 艺 技 术 第29卷第2期 ElectronicsProcessTechnology 2008年3月 溺茁簦弱渡 35V47IJLF固体钽电容器制备工艺的改进 刘勇刚,易金锋 (湖南湘怡电子有限公司,湖南 株洲 412004) 摘 要 :研究了15000 ·V/g钽粉在 35V47 固体钽 电容器上的应用,研究了压制密度 和烧结温度对产品电性能的影响,并改进被膜工艺,研究了在硝酸锰溶液 中添加硝酸铵对产品电性 能的影响。实验结果表明15000txFV/g钽粉的最佳压制密度为5.8g/cm,最佳烧结温度为1660oC,制 备 的钽 阳极块比容为 13500txFV/g

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档