多晶硅真空区熔提纯技术研究.pdfVIP

电 子 工 业 董 用 设 备 - · 材料加工与设备 · 多晶硅真空区熔提纯技术研究 栾国旗 ，张殿朝，闫 萍，高颖，马玉通 (中国电子科技集 团公 司第四十六研究所 ，天津 300220) 摘 要：对真空单晶用 多晶硅真空区熔提纯技术进行 了分析，通过理论实践相结合 ．对真空区熔 提纯过程 中的提纯速率、熔区长度 、提纯次数 以及其它工艺参数进行 了分析 ．制定 了获得 目标 电 阻率、型号 、直径的有效区熔提纯Y．-艺。 关键词 ：多晶硅 ；提纯；提纯速率 中图分类号 ：TN304．051 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4507(2010)08—0016—04 ResearchoftheTechnologythatPolysiliconW as PurifyinginVacuum LUAN Guoqi，ZHANG Dianchao，YAN Ping，GAOYing，MA Yutong (The46thResearchInstitute，CETC，TianJin300220，China) Abstract：Thetextintroducesthetechnologythatpolysiliconwaspurilyinginvacuum ．Combining theoryandpractice，weanalysistheparameterssuchastherateofpurification、lengthofmeltingzone、 timesofpurificationandothers．Weformulatetheeffectiveprocesstoachievetheobjectiveofresistiv— ity、typeanddiameter． Keywords：Polysilicon；Purification；Rateofpurification 高电阻率、高少数载流子寿命真空区熔硅单晶 1 实验条件 作为一种新型的基础材料 ，除具备一般高阻材料纯 度高，补偿度低的特点外，更由于其在真空下生长， 多晶提纯设备 ：L4375．ZE型区熔硅单晶炉 。 是制备高灵敏度探测器件的首选。在真空单晶研制 真空区熔提纯时的炉 内真空度≤1×10。。Pa。 过程中，需要对多晶硅进行真空区熔提纯。通过真 原料 ：美 国ASiMI多晶硅料 ，基硼 电阻率 ≥ 空区熔提纯 ，可 以对多晶硅 的电阻率 、型号及外型 9000n ·cm，基磷 电阻率≥1000n ·cm， 等参数加以控制，是成功研制真空单晶的关键步骤 少子寿命≥1000 s，原始电阻率≥3000n·cm， 之一 。 直径 50ITlm。 收稿 日期 ：2010—06—10 m 电 子 工 业 毫 用 设 备 · 材料加工与设备 · 热场 ：单匝平板线圈。线圈为偏心结构，内径短 从 图 1中可以看出，当杂质分凝系数 小于 1 轴 28mm、长轴 32mm，外径 90mm； 时，杂质向多晶尾部移动 ，K越小，分布变化越 明 籽晶：5mm ×5mm×60mm 的正 (111)晶向； 显 。由于硅 中磷杂质 的分凝系数 K小于 1，因此杂 针对研制直径30mm、P型电阻率 10~20kQ ·cm 质应 向尾部移动汇集 ，多晶型号应在头部首先发生 真空区熔单 晶，多晶硅提纯 目标参数为 ：电阻率 变化 。由各提纯参数记录表也可看 出