多晶硅薄膜晶体管特性的研究.pdfVIP

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2017-08-12 发布于重庆
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多晶硅薄膜晶体管特性的研究.pdf

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多晶硅薄膜晶体管特性的研究.pdf

( ) 第20卷　第1期宝鸡文理学院学报自然科学版 . 20　 . 1 V o l N o 2000年3月 ( ) . 2000 Journal of Bao ji Co llege of A rts and Science N atural Science M ar 多晶硅薄膜晶体管特性的研究 1 2 龚仁喜 , 周晨立 ( 1广西大学电气工程学院, 广西南宁 530004; 2宝鸡文理学院物理系, 陕西宝鸡 721007) 摘　要: 利用高级二维器件模拟程序M ED IC I 分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数, 并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响。关键词:M ED IC I; 薄膜晶体管; 特性; 模拟 ( ) 中图分类号: O 731; TN 321. 5 文献标识码: A 文章编号: 2000 The TFT character istics of polycrystalline silicon 1 2 , GON G R en x i ZHOU Chen li ( 1. , , 530004, , ; E lectrical Engineering Schoo l Guangxi U niversity N anning Guangxi Ch ina 2. . . , . . , 721007, , ) D ep t Phys Bao ji Co ll A rts Sci Bao ji Shaanxi Ch ina Abstract: T he effect of a few im po rtan t geom etrical and physical param eters w h ich inclu