第3章 存储器及接口技术.ppt

第3章 存储器及接口技术 存储器是计算机的重要组成部件，用来存放程序和数据。它是计算机的主要组成部分，反映了计算机的“记忆”功能。 图3-1显示了新型计算机系统中的存储器组织，越往上，存储器的速度越快，CPU的访问频度越高，每位的造价越高，系统的拥有量越小；越往下，其容量越大，每位的造价越低，速度也较低。CPU中的寄存器位于顶端，它的存取速度最快；向下依次是CPU内部的Cache、主板上的Cache，也称为外部Cache、主存储器、辅助存储器和大容量辅助存储器。 3.1 半导体存储器概述 3.1.1 半导体存储器的分类 1．按制造工艺分类 半导体存储器可分为双极型和MOS型两类： （1）双极型。由TTL晶体管逻辑电路构成。该类存储器工作速度快，与CPU处在同一量级，但集成度低、功耗大、价格偏高，在微机系统中常用作高速缓存器。 （2）金属氧化物半导体型。简称MOS型。该类型器件有多种制造工艺，如NMOS（N沟道MOS）、HMOS（高密度MOS）、CMOS（互补型MOS）、CHMOS（高速CMOS）等。 2．按使用属性分类 半导体存储器分为RAM和ROM两类，如图3-2所示。 3.1.2 半导体存储芯片的一般结构 图3-3所示为存储器组成示意图。它由存储体、地址寄存器、地址译码驱动电路、读/写电路、数据寄存器和控制逻辑等组成。 3.1.3 半导体存储器的主要技术指标 （1）存储容量。该项指标对于厂商，多用总的位容量来进行描述，如某芯片为256M位；对于用户，一般用“存储单元数×每个单元的存储位数”来进行描述，如8K指的是8K×8位。 （2）存取速度。该项指标一般可用以下两参数中的一个来进行描述： 1）存取时间，即TA，它是指从CPU给出有效的存储地址启动一次存储器读/写操作，到操作完成所经历的时间。 2）存取周期，即TAC，是指连续两次存储器读/写操作之间所需的最小时间间隔。 3.1.4 PC机主存储器性能介绍 1．FPM DRAM（快速页面模式动态随机内存） 其读取速度为60～80ns，单列直插内存模块内存条，印制板单面出线，有30线和72线两种，386和486主板上为30线，486和586主板上为72线。 2．EDO DRAM（扩展数据输出动态随机内存） 它的读取速度比FPM DRAM快10%～20%左右，约为50ns～60ns，72线，SIMM封装，应用于586主板。 3．SDRAM（同步突发内存） SDRAM采用了多体存储器结构和突发模式，为双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据时，另一个已经做好被读取的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高，并且将内存与CPU以相同时钟频率控制，使内存与CPU外频同步，取消等待时间，其传输速率比EDO DRAM快了许多，速度可达6ns。 4．SDRAM Ⅱ DDR（双倍数据速率）SDRAM，即我们常说的DDR内存。SDRAM内存只在时钟周期的升沿传输指令、地址和数据，而DDR SDRAM内存的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输数据。 5．DRDRAM DRDRAM是由RAMBUS 公司和INTEL公司合作开发的一种新型内存，常称为RAMBUS内存。它采用184线接口，电压为2.5V。与芯片组之间的接口宽度为16位，如果带ECC校验，其接口宽度为18位。DRDRAM的接口工作频率为400MHZ，由于它能在时钟信号的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此数据传输的频率实际上为800MHZ，其峰值传输速率可以达到1.6Gb/s。这种内存也是双列直插膜组，但与SDRAM和DDR SDRAM内存条不兼容。这种内存性能高，价格贵，一般用于高档机。性能价格比不如DDR内存。 3.2 半导体存储器与 CPU的接口 这一节，我们将介绍半导体存储器与CPU的接口，介绍存储芯片与具有不同数据位的CPU的连接和配合。我们选取的例子涉及到8位、16位、32位、64位CPU与存储器的接口，使读者对CPU与存储器接口有一个整体的概念。 3.2.1 存储芯片信号线的处理 1．存储芯片数据线的处理 若存储器为字节编址结构，芯片的数据线是8根，芯片的全部数据线应与系统对应的8位数据总线相连。 2．存储芯片地址线的连接 存储芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连。寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的。 3．存储芯片片选端的处理 由一个存储芯片或芯片组构成的存储器，需要在“地址方向”上加以扩充，简称为“地址扩充”。在系统存在“地址扩充”的情况下，必须对多个存储芯片或芯片组进行寻址。这一寻址过程，主要通过将系统高位地址线与存储芯片片选端相关联的方法来加以实现。