存储器(自动化适用).ppt

主要内容 存储器分类 随机存储器 只读存储器 习题练习 1、按构成存储器的器件和存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 附：多层存储结构概念 核心是解决容量、速度、价格间的矛盾，建立起多层存储结构。 1、读写存储器RWM 2、只读存储器ROM 1、随机存取存储器RAM RAM主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，与外存交换的信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。 2、只读存储器ROM ROM的信息在使用时是不能改变的，也即只能读出，不能写入故一般用来存放固定的程序，如微型机的管理、监控程序，汇编程序等，以及存放各种常数、函数表等。 存储容量 存取周期 功耗 可靠性 集成度 其他 5.1.3 半导体存储器的特点（1） 一、RAM的特点 在RAM中，又可以分为双极型（Bipolar）和MOS RAM两大类。 1．双极型RAM的特点 （1）存取速度高。 （2）以晶体管的触发器（F-F——Flip-Flop）作为基本存储电路，故管子较多。 （3）集成度较低（与MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。 所以，双极型RAM主要用在速度要求较高的微型机中或作为cache。 2．MOS RAM 用MOS器件构成的RAM，又可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）两种。 5.1.3 半导体存储器的特点（2） 二、ROM的特点 1．掩模型ROM 2．可编程型PROM（Programmable ROM） 3．光擦除型EPROM（Erasable PROM） 4．电擦除型EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ） 5.2 随机存取存储器（1） 5.2.1 静态存储器SRAM ① 6管构成的触发器作为基本存储电路。 ② 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 ③ 不需要刷新，故可省去刷新电路。 ④ 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 ⑤ 易于用电池作为后备电源（RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息）。 ⑥ 存取速度较动态RAM快。 5.2 随机存取存储器（2） 5.2.2 动态存储器DRAM ① 基本存储电路用单管线路 组成（靠电容存储电荷）。 ② 集成度高。 ③ 比静态RAM的功耗更低。 ⑤ 价格比静态便宜。 ⑥ 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。 5.3.1 固定掩模编程ROM 由半导体厂按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。所谓只读，从字面上理解就是只可以从里面读，不能写进去，它类似于我们的书本，发到我们手回之后，我们只能读里面的内容，不可以随意更改书本上的内容。 5.3.2 可编程PROM （Programmable ROM） 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。 这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，可以写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。 5.3.3 可擦除可编程EPROM 为了适应科研工作的需要，希望ROM能根据需要写，也希望能把已写上去的内容擦去，然后再写，能改写多次。EPROM就是这样的一种存储器。EPROM的写入速度较慢，而且需要一些额外条件，故使用时仍作为只读存储器来用。 它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，可以 用一种特殊的方法去掉后重写，这就是用紫外线照 射，紫外线就象“消字灵”，可以把字去掉，然后再 重写。当然消的次数多了，也就不灵光了，所以这 种芯片可以擦除的次数也是有限的，大约几百次。 5.3.4 电擦除可编程EEPROM EEPROM是可由用户更改的只读存储器（ROM）可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。 不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。 5.4 新型存储器 5.4.1 快擦写FLASH存储器 FLASH存储器是新型的可电擦除的非易失性只读存储器，属于EEPROM器件