第3章 存储器系统.ppt

第七章 存储器系统 第3章 存储器系统与存储器 3.1 存储器系统概述 3.2 主存储器 3.3 半导体随机读写存储器 3.4 非易失性半导体存储器 3.5 主存储器的控制与组成 3.6 高速缓冲存储器 3.7高速缓冲存储器（Cache） 3.1 存储器系统概述 3.1.1 概述 3.1.2 存储器分类 3.1.3 存储器的层次结构 3.1.1 概述 存储器分为主存和辅存。 主存用来存放当前正在运行的程序和数据，速度高而存储容量较小。 辅存用来存放当前暂时不用的程序和数据，需要时再成批地调入主存，存储容量大而速度较低。 存储系统：存储器硬件设备和管理存储器的软硬件一起的合称。 3.1.2 存储器分类 1．按存储介质分类 2．按存取方式分类 3．按存储器的读写功能分 4．按信息的可保存性分 5．按在计算机系统中作用分类 存储器分类表 3.1.3 存储器的层次结构 问题的提出 解决容量和速度矛盾的办法 应用了访问局部性原理，把存储体系设计成为层次化的结构以满足使用要求。 在这个层次化存储系统中，一般由高速缓存(Cache)、主存(内存)、外存(硬盘等)组成,而不只是依赖单一的存储部件或技术。 3.2 主存储器 3.2.1 主存储器处于全机的中心地位 3.2.2 主存储器的分类 3.2.3 主存储器的主要技术指标 3.2.1主存储器处于全机的中心地位 （1）主存储器是计算机中信息存储的核心 （2）内存是CPU与外界进行数据交换的窗口，CPU所执行的程序和所涉及到的数据都由内存直接提供；运算的结果一般也要送回内存。 （3）内存可以与CPU有机结合、达到高速、准确运算的目的。 3.2.2 主存储器的分类 1 半导体存储器的特点 速度高，体积小，功耗低，价格便宜，可靠性高，使用方便。其主要缺点是信息易失，即断电时不能保存信息 2 半导体存储器的分类 （1） 随机存储器（Random Access Memory，简称RAM） （2） 只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）  3.2.3主存储器的技术指标 3.3半导体随机读写存储器 3.3.1 静态MOS存储器（SRAM ) 3.3.2 动态MOS存储器（DRAM） 3.3.3 DRAM的研制与发展 (2) 存储器的组成 1．基本存储单元 2．存储体 3．地址译码器 (1)．单译码 (2)．双译码 4．片选与读／写控制电路 5．I/O电路 6．集电极开路或三态输出缓冲器 7．其它外围电路 存储器芯片的基本结构 单译码方式 双译码方式 (3) 动态MOS存储器组成 动态存储器的组成方法，与静态存储器的组成方法基本相同，但其外围电路的组织要比静态存储器复杂得多，这是因为： 1．动态存储器需要刷新电路。 2．需要时序控制电路协调读/写周期的各个操作。 3．地址线是分时复用的，行地址和列地址由多路转换电路按一定的时序送入。 （2）Intel 2174A动态RAM芯片 7.4 只读存储器(ROM) ROM即使掉电，所存储的内容也不会丢，所以属于非易失性存储器。 根据半导体制造工艺进行分类 1．掩膜式只读存储器(MROM) 2．可编程只读存储器(PROM) 3．可擦除、可再编程的只读存储器PROM 7.4.1．掩膜式只读存储器(MROM) 2．可编程只读存储器(PROM) 3、可擦除、可再编程的只读存储器PROM 目前，根据擦除芯片内已有信息的方法不同，可擦除、可再编程ROM可分为两种类型： 紫外线擦除PROM(简称EPROM) 电擦除PROM(简称EEPROM或E2PROM) (1) EPROM和E2PROM简介 3．5 闪速存储器 90年代英特尔公司发明的闪速存储器是一种高密度、非易失性的读／写半导体存储器，它突破了传统的存储器体系，改善了现有存储器的特性，因而是一种全新的存储器技术。闪速存储器的存储元电路是在CMOS单晶体管EPROM存储元基础上制造的，因此它具有非易失性。不同的是，EPROM通过紫外光照射进行擦除，而闪速存储器则是在EPROM沟道氧化物处理工艺中特别实施了电擦除和编程次数能力的设计。通过先进的设计和工艺，闪速存储器实现了优于传统EPROM的性能。 闪速存储器具有以下一些明显的特点： 固有的非易失性 SRAM和DRAM断电后保存的信息随即丢失，为此SRAM需要备用电池来确保数据存留，而DRAM需要磁盘作为后援存储器。由于闪速存储器具有可靠的非易失性，它是一种理想的存储