第4章内存_2070_269_20101025104813.pptVIP

4.5.1 逻辑Bank与芯片容量表示方法 内存芯片的容量 内存芯片的容量是一般以bit为单位的，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。 内存芯片的容量表示方法是： 存储单元数量=行数×列数×数据深度×L-Bank的数量/8 得到一个L-Bank的存储单元数量 比如64Mbit的芯片就有如下三种结构形式： ①16M×4×4 (4096×4096×4×4banks/8节=16M字节） ②8M×8×4 (2048×2048×8×4banks/8节=16M字节） ③4M×16×4(1024×1024×16×4banks/8节=16M字节） 4.5.2 内存条（模组）的结构及工作原理 4.6 主流内存条介绍 为了节省主板空问和增强配置的灵活性，现在的主板多采用内存条结构。条形存储器 把一些存储器芯片、电容、电阻等元件焊接在一小条印制电路板上组装起来合成一个 内存模组(RAM Module)，俗称内存条。 内存条可分为30线、70线(SIMM， 即Single Inline Memory Module)、 168线(DIMM，即Double Inline Memory Module)和RDRAM 内存条。 内存芯片 内存芯片俗称内存颗粒，内存芯片是内存条的关键元件，它的性能决定了内存条的性能。芯片类型取决于内存芯片的工作方式，常用的内存芯片类型有以下几种： FPM DRAM EDO DRAM SDRAM RDRAM　　 DDR SDRAM 内存颗粒 FPM DRAM FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM） FPM DRAM也就是我们常说的快页内存。之所以称之为快页内存，因为它以4字节突发模式传送数据，这4个字节来自同一列或者说同一页。 FPM DRAM是用于486及奔腾级的计算机使用的普通内存，为72线，5V电压，带宽为32bit，速度基本都在60ns以上。 列地址解码器 数据接口 行地址解码器 EDO DRAM EDO DRAM（Extended Data Output DRAM） 扩展数据输出内存”与FPM RAM有基本相同的应用范围，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit，速度基本都在40ns以上。 　　由于奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64bit的，所以在使用中 EDO RAM 与 FPM RAM 都必须双条用。因为EDO RAM取消了扩展数据输出内存与传输内存的两个存储周期之间的时间间隔，即短了等待输出地址的时间，所以在大量存取操作时，可以大大地缩短存取时间，效率提高了 20—30%。 SDRAM 　 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是PⅡ、PⅢ普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO RAM又至少快了13％。 DDR SDRAM内存 　DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM） 双倍速率SDRAM”，简称DDR。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。 DDR可在时钟的上、下沿都能进行数据传输。在总线频率和带宽相同时， DDR的数据传输率是SDRAM的两倍。 DDR SDRAM内存 DDR内存按工作的频率高低在型号上可分为DDR266、DDR333、DDR400、DDR433和DDR500。 其主要技术特点是： 带宽为64bits， 双时钟技术。 可以沿用现有SDRAM的生产体系。 2.5VSSTL2标准。 184线DIMM DDRⅡ 内存 DDR2是构建在DDR的的新一代内存，DDR2 通过增加4位预取机制使得在核心频率不变的条件下将数据带宽提升4倍。 高频率、高带宽是DDR2最大的优点，它将有DDR2-400、533、667和800等规范，最高带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、4.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR内存有大幅度提升，但它们的核心频率仍保持在很低的 水平，使得产品可在更低的电压下运作（DDR 工作在2.5V下，DDR2仅需要1.8V工作电压）。 DDRⅡ 内存 图4-