纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势.pdfVIP

下载本文档

33
0
约1.96万字
约 5页
2017-08-12 发布于重庆
举报
版权申诉

纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势.pdf

专家论坛 ExpertForum 纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势戴宇杰吕英杰张小兴 , , 南开大学天津 ( , ) 300071 摘要论述了日美等国纳米集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势分析说明国外 : CMOS , 半导体制造技术的战略和发展状况结合工艺设计的超大规模芯片的实践 ; 90nmCMOS SOC , 对纳米集成电路设计技术进行分析阐述设计面临的技术难题并对今后的发展趋 CMOS ; SOC , 势进行了预测。关键词纳米集成电路系统集成芯片设计技术发展趋势 : CMOS ; ; ; 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1671-4776 2007 12-1031-05 DesignandDevelopmentofNanoCMOSIC DaiYujie,LüYingjie,ZhangXiaoxing (NanKaiUniversity,Tianjin300071,China) : AbstractThecurrentsituationanddevelopmentofnanometerCMOSICsemiconductormanufacturing engineeringinJapan,USAandothercountrieswereinvestigated,andananalysisofthestrategy, currenttechnologysituationofsemiconductormanufacturinginthesecountriesweremade.Thedesign technologyofnanoCMOSICwasillustrated,byimplementingthe90nmCOMSULS (ultralarge scale)SOC.Finally,thetechnologyproblemsofSOCdesigningweretreated,andthedevelopment trendwasforecast. : ; ; ; Keywords nanometerCMOSIC SOC designingtechnique developmenttrend EEACC:2570D 1 引言的突破,使用于完成复杂信号处理的多个微处理器 ( )、数字信号处理器 ( )、存储器、、 MPU DSP