超高分子量聚乙烯／石墨包覆纳米铜复合导电材料研究.pdfVIP

维普资讯 塑 料 超高分子量聚乙烯 ／石墨包覆纳米铜复合导电材料研究 2008年 37卷 第 l期 超高分子量聚乙烯／石墨包覆纳米铜 复合导电材料研究 薛 俊 。林航异 。唐浩奎 。宾晓蓓 。曹 宏 (1．武汉材料保护研 究所 ，湖北 ，武汉 430030； 2，武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北，武汉 430033； 3．武汉理工大学资源与环境工程学院，湖北，武汉 430070) 摘要：在 NaBH ／EDA 体 系中还 原 CuC1，石 墨层 间化合物合成 了石 墨 包覆纳米铜 复合 填料 (GECNP)。以GECNP为导 电填料，采用球磨共混．热压成型工艺制备 了超 高分子量聚 乙烯 (UHMWPE) 基复合材料 。uHMwPE／GEcNP复合材料的x射线衍射 (XRD)分析表 明：在制备过程 中无新相生成 ； 扫描 电镜 (SEM)观察发现 ：其微观结构均匀，GECNP以纳米片状分散于基体 中，构成导电网络；有关导 电性的研究表明：复合材料导电机制符合聚合物基复合材料的导 电渗滤理论，渗滤阈值为8．766％，低 于常规碳 系填料。当GECNP体积浓度为 12．8％时，体 系电导率最高，为7．55S／cm，高于石墨纳米片填 料 。 关键词：超 高分子量聚 乙烯 ；石墨 ；铜纳米粒子 ；电导率 中图分类号 ：TQ325．12 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—9456(2008)01—0043—04 TheConductiveCompositeofUHM W PE／GECNP XUEJun。，LINHang—sheng ，TANGHao．kui，BIN Xiao．bei，CAO Hong (1．WuhanResearchInstituteofMaterialsProtection，Wuhan，Hubei430030，China； 2．SchoolofMaterialScienceandEngineering，W uhanInstituteofTechnology，Wuhan，Hubei430073，China； 3，SchoolofResourceandEnvironmentEngineering，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan，Hubei430070，China) Abstract：Grapheneencapsulatedcoppernanoparticles(GECNP)weresynthesizedbyreducingthe precursorofCuC12graphiteintercalationcompoundsinethylenediamine (EDA)solutionofNaBH4．The compositeofultra—highmolecularweightpolyethylene(UHMWPE)wereformedbyusingGECNPasfiller throughballmilling—mixtureandhot—pressmoldingtechnology．X—raydiffractionexaminationrevealedthatnot anynew phasewasformedinthepreparationproce