C-P-002-PVPON PAA杂化薄膜的图案化-杨曙光.pdfVIP

C-P-002 PVPON/PAA 杂化薄膜的图案化 杨曙光，龙宇华，李悦芳,徐 坚1 高分子物理与化学国家重点实验室,中国科学院化学研究所，北京100080 关键词：PVPON/PAA 杂化薄膜 图案化 气相电离 相分离 聚合物薄膜的图案化对于微电路和数字存储工艺技术有重要意义。[1] 传统 的光刻是一种比较成熟的技术。但是其设备非常昂贵，且需要一些特殊的高分子 材料作为光刻胶。在有很多场合需要大面积价格低廉的图案化表面，光刻技术很 难实现这一点，因此研究人员在努力寻求其它的方法，例如表面浸润和相分离。 [2-4] 通过控制层层组装技术可以制备高均一性的PVPON/PAA杂化薄膜。本文将 介绍一种使PVPON/PAA 薄膜图案化的方法：气相电离。对于氢键组装的 PVPON/PAA薄膜来说，在很宽的pH值范围内是稳定的，浸泡于pH高于 5.5 的溶 [5] 液时，PAA 电离引入的链段斥力会抵消掉氢键的作用，薄膜会分解。 但电离过 程如果发生在气相中，薄膜可能不会从基底上脱离而被图案化。 为此构筑了三种气相环境：酸性的醋酸的气相氛围，中性的饱和水蒸气氛围， 碱性的氨水的气相氛围。将 250ml醋酸、水、氨水倒入各自的 20L 的密封罐，温 度控制在 25 ℃。待其达到平衡后，将(PVPON/PAA-8K)15薄膜放入其中，24 小 时后取出，氮气吹扫薄膜，驱赶残留气体。 红外光谱表征三种气相环境处理薄膜的电离程度，如图 1a 所示。酸性气相 处理的薄膜，PAA 的电离受到抑制，其谱图与原始薄膜一致。中性气相处理的薄 膜，其COOH的吸收峰降低，并出现了COO- 的吸收峰，表明PAA羧基部分电离。 - 碱性环境中处理的薄膜，其COOH 的吸收峰完全消失，出现强的COO 吸收峰， 表明PAA 中的羧基完全电离。同时在中性和碱性下，薄膜都有很强的吸收带，说 明在气相中，即使PAA有很大程度的电离，薄膜也不会像在溶液中那样从基底上 解离。 显微镜观察不同气相处理薄膜的形貌，如图 2 所示。酸性环境中，PAA 的 电离受到了抑制，没有发生分相的推动力，所以形貌基本和原来保持一致非常平 整。中性或碱性环境下，PAA 发生了电离诱导了分相，薄膜的形貌发生了显著 的变化，但形貌存在很大的差别，是由于中性和碱性条件下电离程度不同，诱发 分相速度和快慢不一样。AFM 更清晰地显示了中性和碱性条件下形貌的差别， 如图 3 所示。 1 徐坚 研究员 jxu@iccas.ac.cn a b Figure 1.Infrared absorption spectrum (a) and Reflection spectrum (b) of (PVPON/ PAA-8K)15 films after incubated at acidic vapor, neutral vapor and basic vapor for 24h a b c Figure 2.Microscope photographs(200μm × 200μm) of (PVPON/PAA-8K)15 films after incubated at acidic vapor(a), neutral vapor(b) and basic vapor(c) for 24h PVPON/PAA 薄膜形貌的改变通过 Fabry-Pérot 指纹峰同样可以反映出来。 当表面变得粗糙时，漫反射和散射会加强，Fabry-Pérot 指纹峰会被掩盖掉，甚至 消失。酸性