光电检测光电探测器2012.pptVIP

二、选择题 1、雪崩光电二极管是利用（ ）效应制作的器件。 A、光电发射 B、光电导 C、光生伏特 D、内光电 2、外光电效应的光电探测器有（ ） A、光电三极管 B、光电池 C、PMT D、雪崩光电二极管 三、计算题 光敏电阻R与RL＝20kΩ的负载电阻串联后接于Ub＝12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为U1＝20mV，有光照时负载上的输出电压为U2＝2V，求： ⑴光敏电阻的暗电阻和亮电阻值。 ⑵若光敏电阻的光电导灵敏度Sg＝6×10－6S/lx,求光敏电阻所受的照度。 光电检测光电池具有光敏面积大，频率响应高，光电流随照度线性变化。 太阳能光电池耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结构简单、重量轻、可靠性高、寿命长，在空间能直接利用太阳能转换成电能的特点。 符号 连接电路 等效电路 三、光敏二极管 共同点：一个PN结，单向导电性 不同点： ⑴受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅； ⑵表面有防反射的SiO2保护层； ⑶外加负偏压； 与普通二极管相比: 共同点：均为一个PN结，利用光生伏特效应，SiO2保护膜； 不同点： ⑴结面积比光电池的小，频率特性好； ⑵光生电势与光电池相同，但电流比光电池小； ⑶可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作； 与光电池相比： ⑴无光照时，只有热效应引起的暗电流流过PN结； ⑵光照时，产生附加的光生载流子，使流过PN结的电流骤增；反向电压增加了耗尽层的宽度和结电场，使更多的光生载流子流过PN结。 ?a) 不加外电源? b) 加反向外电源? c) 2DU环极接法 环极接法的作用：克制由于SiO2保护膜中的杂质正离子静电感应。消除表面漏电流，减少暗电流和噪声。 ⑴光谱响应 ⑵光照特性 ★随着入射光功率的变强，则同一反向电压下的光电流也变大。 ★入射光功率不变时，反向电压加到某一电压后，光电流几乎不随反向电压的变化而变化。 ⑶频率响应 ①光生载流子在薄层中的扩散时间及PN结中的漂移时间（载流子的渡越时间）； ②结电容和杂散电容（ RC时间常数）； 它是半导体光电器件中频率响应最好的器件之一，频率响应与下列因素有关： ★无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。 ★对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深处被吸收，产生的少数载流子远离PN结，需较长的扩散时间。而较短波长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离PN结很近，扩散时间短。所以耗尽层型优于扩散型光敏二极管。 载流子的渡越时间 ⑷温度特性 ★由于反向饱和电流对温度的强烈依赖性，光敏二极管的暗电流对温度的变化非常敏感。 按材料 硅光敏二极管、 锗光敏二极管、化合物光敏二极管； 按结特性： PN结（扩散层、耗尽层）、PIN结 、异质结、肖特基势 垒型及点接触型； 按对光的响应： 紫外、可见光、红外 ⑴PIN管 ??? 它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 几种特殊的光敏二极管 ①这种管子最大的特点是频带宽，可达10GHz。 ②另一个特点是，线性输出范围宽。 ③所不足的是，I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 ⑵雪崩光电二极管 ??? 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 特点：工作电压很高，约100V～200V，接近于反向击穿电压。 有很高的内增益，可达到几百。 响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 ??? 缺点：噪声大。 四、光敏三极管 特点：光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。 缺点：它的光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。 五、阵列式或象限式结型光电器件 利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以使光电二极