利用热释光和光激励技术研究合成工艺对BaFBr_Eu_2_Al_3_发光性质的影.pdfVIP

第 20 卷 第 6 期 中　国　稀 　土 　学 　报 2002 年 12 月 　 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 Vol . 20 №. 6 J OURNAL OF THE CHIN ESE RARE EARTH SOCIETY Dec . 2002 利用热释光和光激励技术研究合成工艺对 Ba FBr ∶Eu2 + , Al3 + 发光性质的影响 余 　华 , 熊光楠 , 李 　岩 (天津理工学院材料物理研究所 , 天津 300 19 1) 摘要 : 利用热释发光谱和光激励发光谱表征了不同合成工艺条件对合成BaFBr : Eu2 + , Al 3 + 发光性质的影响。利用理论分析找出了热释发光 衰减与光激励衰减的异同, 理论上计算了不同的合成工艺对BaFBr :Eu2 + , Al 3 + 色心能级的影响 , 其热释发光谱和光激励发光谱的理论计算 值能较好的吻合 , 并且能够很好的表征实验结果 。 关键词 : 稀土 ; BaFBr :Eu2 + ; 热释发光 ; 光激励发光 ; 色心 中图分类号 : O482 3 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1000 - 4343 (2002) 06 - 0630 - 04 　　BaFX ∶Eu2 + (X = Cl ,Br ) 可以作为光谱烧孔材 激励发光材料所需的所有条件 。 料[ 1 ] 、闪烁晶体材料和 X 线增感屏材料 , 其作为 X 色心的能级深度决定了BaFBr ∶Eu2 + 光激励发 射线影像存储材料[2 ] , 也称为光激励发光材料 。利 光谱峰的位置 , BaFBr ∶Eu2 + 的光激励发光峰是位 ( ) 用这种材料制成的影像板 IP 广泛应用于通过离 于 600 nm 左右的一个宽带 , 可 以用氩离子激光 、 [3 ] 子辐射所产生的二维影像探测中 。 YA G ∶Nd 激光甚至 HeNe 激光作为激励光源 。由于 从 1983 年开始 , 伴随着 BaFBr ∶Eu2 + 发光体研 这些激光器笨重 、价格昂贵或使用不方便 , 人们开 究的不断深入 , 其商业应用也随之起步 。虽然当时 始寻找一种价廉 、小巧 、使用方便的激励光源 , 这 有许多其它类型的 X 线存储荧光粉 , 例如 : KBr ∶ 就是波长长于 650 nm 的半导体激光器 , 这就要求 In , KCl ∶Eu , SrFBr ∶Eu2 + , Eu2 + 激活的碱土氧卤化 BaFBr ∶Eu2 + 的光激励发光峰应位于 650 nm 附近或 物等 , 但是在 X 线诊断影像 , X 射线衍射等领域 , 更长[5 ,6 ] 。为了达到这一 目标 , 我们在 BaFBr ∶Eu2 + 它们无一能在总体应用性质上优于 BaFBr : Eu2 + 。 中掺杂一定量的 Al3 + 使其形成聚集态色心 , 从而 将BaFBr ∶Eu2 + 粉末涂覆在基片上制成 X 线 IP 板能 使其波长红移 。实验中我们发现 , 不同的合成工艺 够代替传统的 X 线感光胶片记录 X 线影像[4 ] 。其 条件对 BaFBr ∶Eu2 + , Al3 + 的发光性质有一定的影 显著优点在于 : 拥有大于 5 个数量级宽的动态范