相变存储器的基础理论.pptVIP

Ovshinsky 效应 S．R．Ovshinsky在1969年发现硫系化合物的晶态和非晶态可呈现出不同的光学特性和电学特性，并且可以进行快速可逆的转变，利用此特性可以存储数据 Ovshinsky光学效应：相变光盘如，CD、DVD-RAM等 Ovshinsky光学效应：相变存储器 忆阻器 1971年，美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠语言了忆阻器的存在。 一种有记忆功能的非线性电阻。 通过控制电流的变化可以改变其阻值，如果，把高阻定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻可以实现数据的存储功能 忆阻器最简单的应用是非易失性存储器，也就是在断电后仍然能够保存数据的存储器。 目前，电脑广泛使用动态随机存储器作为内存。这种技术最大问题是，当用户关闭PC电源时，内存中的数据就消失了，下次打开计算机电源，用户必须等所有需要运行的数据全部从硬盘重新装入内存，这个过程有时长达几分钟。有了非易失性存储器，PC 会在开机的一瞬间回到关闭前的状态。 晶态(低阻)和非晶态(高阻)，分别对应着逻辑数值“1”和“0”，利用电脉冲可以使材料在晶态与非晶态之间相互转换实现信息的写入与擦除，然后通过流经器件电流的大小来识别数据存储状态 相变工作原理 相变材料：硫系化合物 目前使用最多的相变存储材料为硫